摩尔定律的复活:第四代氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)

Moore’s Law Revival: Gen4 eGaN® FETs
直流-直流转换器评估板
EPC9018: 12 V转1.2 V
EPC9019: 48 V转12 V

氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续在电源转换性能方面提高业界基准。第四代氮化镓器件的电压范围为30 V至200 V,在性能上远远抛离日益陈旧的功率MOSFET器件。新一代器件具有更低导通电阻、更低电容、更大电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。

  • 更低导通电阻(RDS(on))
    由于全新氮化镓场效应晶体管系列可降低一半导通电阻,因此可支持大电流、高功率密度的应用。
  • 进一步改善品质因数(FOM)
    与前代器件相比,由于新一代氮化镓场效应晶体管把硬开关FOM降低一半,因此在高频功率转换应用可进一步提高开关性能。
  • 扩展电压范围
    由于可受惠于采用氮化镓场效应晶体管的应用扩展至30 V的应用,因此可推动更多应用包括更高功率的直流-直流转换器、负载点转换器、支持隔离型电源供电的同步整流器、电脑及伺服器。

第四代产品数据表

宜普产品型号 电压 最高导通电阻值RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
最小脉冲电流峰值ID (A)
(25°C, Tpulse = 300 µs)
半桥开发板
        标准 低占空比
EPC2023 30 1.45 590 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 560 EPC9032  
EPC2020 60 2.2 470 EPC9033  
EPC2021 80 2.2 390 EPC9034 EPC9019
EPC2022 100 3.2 390 EPC9035  
EPC2019 200 43 42 EPC9014