宜普电源转换公司(EPC)推出的单片式氮化镓半桥功率晶体管推动负载点转换器在48 V转12 V、22 A输出电流下实现超过97%的系统效率

Posted 2015年4月16日

采用全新100 V EPC2104 半桥式器件的全降压转换器在48 V转12 V、22 A输出电流及300 kHz开关频率下，系统效率可超过97%；而在22 A、500 kHz开关频率下，系统效率则接近97%。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2104(100 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及所需的空隙，使晶体管的占板面积减少50%。这样可以提高效率（尤其是器件在更高频工作时）及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。

EPC2104晶体管采用芯片规模封装，可以加快开关速度及散热性能，而且其尺寸只是6.05 毫米 x 2.3 毫米，功率密度更高。EPC2104是高频DC/DC转换及马达驱动器应用的理想器件。

开发板

EPC推出2英寸乘2英寸的EPC9040 开发板，内含EPC2104 集成式半桥元件，采用德州仪器的栅极驱动器（LM5113）、电源及旁路电容。开发板的布局设计可实现最优开关性能并设有多个探孔使得用户可易于测量简单的波形及计算效率。

产品价格及实时供货详情

EPC2104单片式半桥器件在批量为一千片时的单价为8.31美元，而EPC9040开发板的单价为137.75美元，皆可以立即透过北高智科技公司及Digi-Key公司购买。

关于氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的设计信息及技术支持

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下载关于开发板的资料。

宜普电源转换公司简介

宜普公司（www.epc-co.com.cn）是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN^®)场效应晶体管直流- 直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、光学遥感技术（LiDAR）及 D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com.cn 。

商标

eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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