宜普电源转换公司扩大具有宽间距、以小尺寸实现大电流承载能力的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）系列

Posted 2015年5月21日

宜普电源转换公司(EPC)推出采用高性能、宽间距的芯片规模封装的全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管，进一步扩大其功率晶体管系列、易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）实现大电流承载能力。

与具有相同的电阻的先进硅功率MOSFET器件相比，这些全新晶体管的尺寸小很多及其开关性能高出很多倍，是高频DC/DC转换器、DC/DC及AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器及D类音频放大器等应用的理想器件。

器件型号	V_DS	R_DS(on) (典型值)	Q_G (典型值)	I_D (脉冲)	价格 (1000片)
EPC2030	40 V	1.8 mOhm	18 nC	495 A	$3.46
EPC2031	60 V	2.0 mOhm	17 nC	450 A	$3.48
EPC2032	100 V	3.0 mOhm	14 nC	300 A	$3.52

供货详情

以上3个产品皆可以立即透过北高智科技公司及Digi-Key公司购买。

关于氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的设计信息及技术支持

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