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GaN FET可实现5130 W/in3 的基准功率密度,支持人工智能和先进计算应用

GaN FET可实现5130 W/in3 的基准功率密度,支持人工智能和先进计算应用

EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC转换器,占板面积仅为17.5 mm x 22.8 mm,可实现5130 W/in3最先进的功率密度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9159参考设计。这是一款48 V/12 V的LLC转换器,专为高功率密度48 V服务器电源和DC/DC转换器而设计。该参考设计可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封装内提供高达1 kW的功率,其功率密度为5130 W/in3。这是在初级侧和次级侧电路中采用于高开关频率工作的氮化镓(GaN)功率器件才可以实现的。

EPC9159采用LLC电源拓扑,由初级侧全桥、固定比率平面变压器和次级侧的中心片同步整流器组成。初级侧全桥使用4个额定电压为80 V、3.3 mΩ的氮化镓晶体管(EPC2619),而次级全桥则使用6个额定电压为40 V、1.3 mΩ的EPC2067

EPC9159在25 A电流下可实现98% 的功率级效率,而在83 A、12 V电流下的满载效率为96.2%。该设计非常适合用于高功率密度计算应用,例如人工智能和先进游戏等。

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说:“eGaN®FET和IC具有快速开关、小尺寸和高效率等特点,为先进计算应用提供最高功率密度的解决方案。EPC9159参考设计可满足人工智能日益增长的电源需求和先进计算应用中支持转用48 V输入的新型高功率密度和高效服务器。”

价格和供货情况

EPC9159演示板的单价为787.80美元,可从 Digi-Key购买,立即发货,网址为https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流- 直流转换器直流- 直流转换器激光雷达(Lidar)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星以及低成本卫星等应用。此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn。eGaN 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。关注EPC公司:LinkedIn优酷

联络方式 :

宜普电源转换公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])