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宜普发挥GaN成本优势目标超车Si MOSFET

宜普发挥GaN成本优势目标超车Si MOSFET

宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow接受DIGITIMES专访,提到GaN主要会被应用在650V及以下市场。反之碳化硅则是主导650V以上的市场,它可望取代硅基绝缘栅极双极性晶体管。宜普也在开发对速度及尺寸特性极为要求的400V以下市场。且致力于制造比Si功率元件拥有更高性能、更具成本竞争力的GaN元件。

DIGITIMES Asia
2023年9月
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