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采用芯片级封装的氮化镓器件热建模
Posted 2023年11月13日
与采用传统硅器件的转换器相比，采用氮化镓基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有许多材料和性能优势，已广泛用于消费和工业用功率转换领域。氮化镓器件在更高的开关频率下提高了功率转换效率，进而实现更低的系统成本和更高的功率密度。随着功率密度的增加，散热分析和热建模变得至关重要。我们将在本文分享EPC的热量计算器。 EPC公司制造增强型 GaN HEMT 和集成电路，例如支持多种转换器的半桥器件。
Power Electronics News
2023年11月
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