本章展示氮化镓场效应晶体管如何推动具高度谐振、松散耦合性、工作在6.78 MHz ISM频带的无线电源传送技术，实现高效无线能源传送，并与工程师分享使用电压模式D类及E类方法的范例。

EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月

Examining new products released by: Texas Instruments, Analog Devices, Linear Technology, Maxim-Integrated, Intersil, Fairchild, EPC, and IR, Don Tuite finds a common thread: the companies’ products are doing the heavy lifting for their customers.

Electronic Design
Don Tuite
January 6, 2014

本章我们回到讨论硬开关转换器，但不同的是晶体管在更高频率的条件下工作，超越硅技术的实际限制。

EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月

在开关频率10 MHz或以上，电源转换需要具备高速开关的晶体管并配备在高频工作的封装。相比日渐老龄化的功率MOSFET器件，由于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）提供无可匹敌的器件性能及封装，因此可以在高频时提高电源转换效率。

Bodo’s Power Systems
客席编辑： Alex Lidow
2013年11月

增强型氮化镓场效应晶体管商用化已经超过四年，并不断渗透及进驻本来被硅功率MOSFET器件所垄断的应用领域。

Power Pulse
作者：Alex Lidow
2013年10月

With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.

October, 2013
Bodo's Power Systems

我们在本章讨论在隔离型直流-直流功率转换中使用更复杂的硬开关转换器。

EEWeb
作者：Alex Lidow
2013年10月

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，并增加阻抗和电感，从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装，使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比，具有相同成本的优势。

杂志：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月

在高频降压转换器配备最优的版图，使得在1MHz 频率下开关时器件可实现96%以上的效率。

EEWeb
日期：2013年9月
作者：Alex Lidow

本专栏已经讨论了氮化镓场效应晶体管的优势及与硅MOSFET器件相比， 它们具备可以实现更高效率及开关速度的潜力。 本章将讨论使用氮化镓场效应晶体管时，在驱动器及版图方面的考虑，以提高性能。

EEWeb
八月份： 驱动氮化镓场效应晶体管及版图方面的考虑

When a new technology is introduced, it is not reasonable to think that engineers will intuitively know how to effectively and efficiently take advantage of the performance enhancements that the new technology offers – there is always a learning curve. This is being borne out in the case of the rapidly emerging technology of high performance gallium nitride transistors.

GaN FET technology was made available to the general power conversion engineering community in mid-2010 when Efficient Power Conversion (EPC) introduced the industry’s first commercially available GaN transistor. Since that time, EPC has continued on two parallel paths – one to expand their portfolio of products and the other to share what it learns about the use of the technology with power conversion systems design engineers. One of these educational efforts has been to work with the editors of Power Electronics magazine and publish a bi-monthly series of articles on the characteristics of GaN technology and its applications.

This series is entitled eGaN FET -- Power Silicon Shoot Out. Articles in the series took on both basic issues and specific applications using gallium nitride components. It is timely to make a quick review of the sixteen articles to make certain that we have accomplished the goal of assisting engineers in climbing the learning curve. This retrospective look will give us insight into what further topics and studies are needed to advance the adoption of GaN technology, the need to learn is never finished.

By: JOHAN STRYDOM, Ph. D., Vice President, Applications, Efficient Power Conversion Corporation
MICHAEL DE ROOIJ, Ph.D., Executive Director of Applications Engineering, Efficient Power Conversion Corporation
DAVID REUSCH, PH.D., Director, Applications, Efficient Power Conversion Corporation

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使用功率MOSFET的功率系统设计工程师可简单地改用增强型氮化镓晶体管。氮化镓器件的基本工作特性与MOSFET器件相同，但在高效设计中必需考虑几个特性，从而发挥这种新一代器件的最大优势。

Alex Lidow
EEWeb
2013年7月

封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本，并增加阻抗和电感，从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装，使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比，具有相同成本的优势。

杂志：Compound Semiconductor
日期：２０１３年6月

领导增强型氮化镓晶体管发展的宜普电源转换公司的首席执行官Alex Lidow首次在EEWeb.com撰写全新专栏，每月与设计工程师讨论硅基氮化镓功率器件可以 替代旧有功率MOSFET器件。

EEWeb.com
作者：Alex Lidow
日期：２０１３年6月

虽然氮化镓场效应晶体管被设计及优化为一种开关功率器件，但该晶体管也具备良好的射频特性。 本章是关于氮化镓场效应晶体管在200 MHz至2.5 GHz频率范围的射频特性的第1部分。

作者：宜普公司应用工程行政总监Michael de Rooij博士、产品应用副总裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless总裁Matthew Meiller

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杂志：EE Times Asia
日期：2013年5月16日

作为替代MOSFET器件的氮化镓（GaN）功率器件在商用直流-直流电源转换的应用已发展了三年，随着氮化镓器件暂露头角，加上以前使用MOSFET的场效应晶体管而不能实现的应用也可以使用氮化镓器件来实现，对于氮化镓功率器件的开发者来说，以前想不到及还没有开发的全新应用将提供大有可为的发展机遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM

杂志：EDN Europe
日期：２０１３年３月

本文解构组装无线电源传送系统所需的元件。宜普电源转换公司的EPC9104演示系统展示了高效无线电源传送系统所需的高频、高压及高功率器件。详情请浏览http://mag.electronics-eetimes.com/EDNE_MARCH_2013/#/26/。

与基于传统MOSFET的设计相比，基于氮化镓场效应晶体管的负载点降压转换器能够通过优化印刷电路板的版图而减少寄生电阻，从而提高效率、加快开关速度及减少器件的过冲电压。

详情请浏览http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout。

宜普产品应用总监David Reusch博士 / 销售及推广副总裁Stephen L.Colino

在24 V直流系统里采用的传统负载点转换器，设计工程师需要权衡使用一个高成本的隔离型转换器及使用一个低频及低效的降压转换器。与通常在计算机系统里使用的12 V负载点转换器相比，较高压的24 V负载点转换器因为需要考虑开关节点的振铃而需增加场效应晶体管的电压至最少达40 V，以及增加换向损耗及输出电容损耗。宜普公司的氮化镓场效应晶体管由于具备超低Q_GD性能, 从而可实现低换向损耗，并具备低Q_OSS性能，以实现较低输出电容损耗。

此外，宜普公司的氮化镓场效应晶体管具备创新的晶片级栅格阵列封装，在高频功率环路及栅极驱动环路，以及最重要的在这些环路的共通路径（称共源电感）都可容许超低电感，从而把换向损耗减至最低。氮化镓器件的低电荷及共源电感可帮助设计工程师通过提高频率使功率密度得以提高而并没有像传统MOSFET器件那样需要折衷效率。

阅读摘要

作者：宜普公司产品应用总监David Reusch博士

在不同的应用里与硅MOSFET器件相比，增强型氮化镓基功率器件如氮化镓场效应晶体管展示了它可以实现更高效及更高开关频率的性能。氮化镓场效应晶体管具备改善了的开关品质因数，因此封装及印刷电路板版图的寄生电感对性能的影响非常重要。在本章及本部分我们将讨论在负载点降压转换器的应用（工作于开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压为1.2 V及输出电流达20 A的条件下），寄生电感对基于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的转换器在性能方面的影响。

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