EPC's chief executive, Alex Lidow, believes his GaN devices now beat silicon on performance and price, reports Rebecca Pool.

For EPC chief executive, Alex Lidow, this year's PCIM Europe 2019 has been all about applications. Presenting myriad enhanced-mode GaN FETs and ICs in end-products, the company is making a big play for 48 V DC-DC power conversion in advanced computing and automotives.

Compound Semiconductor
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宜普电源转换公司（EPC）推出两个全新100 V氮化镓器件，可以支持服务器及汽车应用的48 V转换的要求。 我将在处理器、车用及能量存储系统等方面探讨48 V服务器的功率转换解决方案（可参考我的文章 “双向DC/DC电源供电: 我们应该如何取向？”），未来将在EDN文章中看到。氮化镓功率晶体管必需是这些不同架构的一部分 -- 我相信没有其它更优越的元件可以替代氮化镓器件了 。

Planet Analog
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New converter topologies and power transistors promise to reduce the size and boost the efficiency of supplies that will run next-generation Artificial Intelligence (AI) platforms. In all the topologies with 48 V_IN, the highest efficiency comes with using GaN devices. This is due to their lower capacitance and smaller size. With recent pricing declines in GaN power transistors, the cost comparison with silicon-based converters now strongly favors GaN in all the leading-edge solutions.

Power Electronic Tips
March, 2019
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With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN^® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost.

Power Systems Design
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在48 V总线架构出现后，我们可采用全新、基于氮化镓（GaN）晶体管的混合式转换器，以实现超过95%峰值效率及225 W/in³ 功率密度。对于节能的数据中心来说，轻负载效率非常重要。基于氮化镓晶体管的转换器在转换至20%负载时，可保持高于90%的效率。

PowerPulse
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EPC2111氮化镓半桥功率晶体管帮助系统设计师实现具更高效率的负载点系统应用，在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率，及在10 MHz开关时实现超过80%效率。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出30 V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管（EPC2111）。透过集成两个eGaN^® 功率场效应晶体管形成单个元件，可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。这样可以提高效率（尤其是在更高频率时）及提高功率密度，而且同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2111是高频12 V转至负载点DC/DC转换的理想元件。

During last week's PCIM Europe event in Nuremberg, Germany, direct 48V-to-1V power conversion architectures were a significant topic. “The use of GaN switches in 48V-to-1V direct dc-dc converters can improve system performance by 30%, compared with today’s best silicon-based designs,” commented Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion.

PowerPulse
May 31, 2017
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Max Smolaks欢迎于电源链（power chain）即将替代硅材料的全新氮化镓材料。

在过去的35年里，电源供电一直采用功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) –利用电压受控的硅器件进行开关及利用电场允许或阻止电流的流通。

Data Center Dynamics
2017年4月19日
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在深度学习盛行下，数据中心的功率密度再次备受关注，并且产生了全新的商业机遇，包括支持30 kW/rack 以上的设备内的专有云端服务，以及为提高系统能效以解决功率密度问题的功率转换公司提供机遇 。氮化镓是功率转换晶片的全新半导体材料，可替代硅器件、实现体积小很多、能效更高及开关速度快速很多的器件。

Data Center Knowledge
2017年2月
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在本投影片，EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何带领业界采用氮化镓（GaN）技术，实现革命性的突破。

由于氮化镓器件比硅器件高效，因此使得数据中心节省大量能源，并且极具潜力可以推动计算机产业超越摩尔定律。

insideHPC
2016年7月20日
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通信的数学基础始于信息论的创始人Claude Shannon于1948的著作《通信的数学理论》。他把信息通信简化为1及0数字，实质上是二进制数字。该理论可以于现实世界中有噪声的环境下，准确无误地传输数据。Shannon在2016年4月30日本来是他的百年诞辰。

EDN Network
Steve Taranovich
2016年4月16日
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备受关注的议题诸如能量收集及无线电源传输将很大机会於下星期举行的APEC会议亮相。与会者将关注并监控氮化镓晶体管的发展。可是，持续提高数据中心的电能传输的效率将会是多家公司的“bread-and-butter”重要目标。

EE Times
半导体产业分析师、顾问Stephan Ohr
2016年3月16日
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The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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Improving low-voltage DC/DC converter performance with GaN transistors:
The emergence of commercially available and cost-effective gallium nitride (GaN) power transistors begins a new age in power electronics. There are significant benefits in using enhancement-mode gallium nitride FET (eGaN FET) devices in power converters for existing data center and telecommunications architectures centering around an input voltage of 48 VDC with load voltages as low as 1 VDC. High-performance GaN power transistors can enable new approaches to power data center and telecommunications systems with higher efficiency and higher power density than possible with previous Si MOSFET based architectures.

Power Systems Design
David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
January, 25, 2016
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在2014年，美国的数据中心用上了1000亿千瓦小时（KWh）能量。雪上加霜的是，这个快速增长的所需能量，大部分是由基于超过一世纪前设立的基建、非常低效的供电网路支持。浪费了的能量有多严重？供电网路为一个数字晶片提供150 W功率，而实际上，它可能只需要100 W。 此外，由于在电源转换过程中，每一瓦功耗会转化为热量，因此实际上所浪费的能量更大。而我们必需利用昂贵及耗电的空调机来为伺服器群散热。空调机大约需要1 W来除去1 W的功耗，这相等于已经低的能源转换效率将再降低一倍。

全新半导体材料的出现可提高能源转换效率，其成本也可以更低。在伺服器群中的功率结构的最后阶段解决低效率的问题，可以实现每年节省70亿千瓦小时的能量。如果一并计算空调机的能源成本，总成本倍增并占了美国的所有伺服器的总能耗的14%。所能够节省的成本也是非常巨大的。以每一千瓦小时的平均成本0.12美元来计算，每年可以节省的总成本高达17亿美元，这还没有包括由于采用更少数量的功率转换器及空调机而得以额外节省的系统成本。

Datacenter Dynamics
2015年12月15日
作者：Alex Lidow
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