著名企业领袖 - 宜普电源转换公司（EPC）首席执行官Alex Lidow于2009年在市场推出第一个氮化镓晶体管。 经过了10年的氮化镓产品销售，DESIGN & ELEKTRONIK 杂志编辑Ralf Higgelke与Alex会面并谈论氮化镓技术的最新发展。

DESIGN & ELEKTRONIK杂志
2020年2月20日
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It’s okay to start using gallium-nitride (GaN) devices in your new designs. GaN transistors have become extremely popular in recent years. These wide-bandgap devices have been replacing LDMOS transistors in many power applications. For example, GaN devices are broadly being adopted for new RF power amplifiers used in cellular base stations, radar, satellites, and other high-frequency applications. In general, their ability to endure higher voltages and operate at frequencies well into the millimeter-wave (mmWave) range have them replacing traditional RF power transistors in most amplifier configurations.

Electronic Design
November, 2019
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This article discussed an oft forgotten or little-noticed part of the spacecraft enabling travel into outer space---power management in the space vehicle. Wide bandgap semiconductors like gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), as well as diamond, are looking to be the most promising materials for future electronic components since the discovery of silicon. These technologies, depending upon their design, offer huge advantages in terms of power capability (DC and microwave), radiation insensitivity, high temperature and high frequency operation, optical properties and even low noise capability. Therefore, wide bandgap components are strategically important for the development of next generation space-borne systems. eGaN devices are quickly gaining momentum in the space industry and we will see many more applications for them by NASA and commercial contractors in future programs like Artemis and other programs in countries around the globe pursuing efforts into Space.

Power Systems Design
November, 2019
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Ahead of December’s Power Conference in Munich, Bodo Arlt took the opportunity to get an insight into Alex Lidow’s thoughts on where the GaN market is now and where he sees the potential applications for the future. Dr. Lidow is the CEO and Co-founder of Efficient Power Conversion (EPC).

Bodo’s Power Systems
November, 2019
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根据预测，到2025年，我们的数据将会超过175 zettabyte。当发明了 5G并将最早于2020年在日本举行的奥运采用、以及通过人工智能（AI）及机器学习（ML）的发展，建立数据中心和其部署、以及提升目前较旧的数据中心的效能，将进入突飞猛进的时代。

我深信氮化镓（GaN）功率晶体管是数据中心功率架构的最理想元件，因为需要小型化、高效及快速开关的元件。氮化镓器件在具48 VIN的所有拓扑，都可以实现最高的效率。

EDN
2019年6月
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目前的氮化镓场效应晶体管在尺寸及性能方面以飞快的速度发展，而目前为业界树立基准的氮化镓器件的性能还可以提升多300倍。

最早采用氮化镓器件的应用是利用氮化镓的超快速开关速度，例如面向全自动驾驶汽车和无人机的激光雷达系统、机械人，以及4G/LTE基站。氮化镓器件的产量一直在增加，而其价格跟开关速度更慢、尺寸更大型和日益陈旧的MOSFET器件相约。因此，目前正是氮化镓器件正面攻击MOSET的时候！。

Bodo’s Power System
2019年6月
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宜普电源转换公司（EPC）推出两个全新100 V氮化镓器件，可以支持服务器及汽车应用的48 V转换的要求。 我将在处理器、车用及能量存储系统等方面探讨48 V服务器的功率转换解决方案（可参考我的文章 “双向DC/DC电源供电: 我们应该如何取向？”），未来将在EDN文章中看到。氮化镓功率晶体管必需是这些不同架构的一部分 -- 我相信没有其它更优越的元件可以替代氮化镓器件了 。

Planet Analog
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从2010年开始，自硅基氮化镓（GaN）晶体管商用化后，低压氮化镓晶体管推动了很多全新应用的发展。氮化镓器件具备超快速开关，推动全新市场诸如激光雷达、包络跟踪及无线电源市场的出现。这些全新应用进一步实现更强大的供应链、低制造成本及器件前所未有的高可靠性。这些优势使得比较保守的设计工程师在DC/DC转换器、AC/DC转换器及车载等各种应用开始对氮化镓器件进行评估。在本文章系列，我们将讨论多种发挥氮化镓器件优势的应用，实现最终产品差异化的竞争优势。首先，我们会探讨是什么因素加快了氮化镓器件的普及。

Power Systems Design
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Efficient Power Conversion (EPC) will exhibit live demonstrations at PCIM Europe 2018 showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for entire industries including computing, communications, and automotive.

EL SEGUNDO, Calif. — May 2018 — The EPC team will be delivering five technical presentations on gallium nitride (GaN) technology and applications at PCIM Europe 2018 in Nuremberg, Germany from June 5^th through the 7^th. In addition, in Hall 7, Stand 539, the company will exhibit its latest eGaN^® FETs and ICs in customers’ end products that are enabled by eGaN technology.

EPC公司的“2018年中国路演”继续展开行程,于5月17至19日在西安举行的首次亚太区WiPDA研讨会中与工程师分享最新的氮化镓技术发展。

宜普电源转换公司“2018年中国路演”于3月14日在深圳举行的首届AirFuel无线充电大会暨开发者论坛出发，继而由其首席执行官兼共同创办人Alex Lidow于3月15日在上海由中国SEMI举办的功率及功率暨化合物半导体论坛作开幕专题演讲。路演的下一站是于5月17-19日在西安举行的首次亚太区WiPDA论坛，与工程师作技术交流并展示其最新的eGaN®器件。之后，我们将于6月26–28日在上海举行的亚太区PCIM会议演讲，与工程师分享采用氮化镓器件的无线电源传送应用和面向全自动汽车的激光雷达系统。

EPC CEO & Co-Founder, Alex Lidow gives Lee Teschler from EE World Online a tour of the EPC booth at APEC 2018 where EPC demonstrations included a high-power density 48 V – 12 V non-isolated converter capable of delivering over 700 W. In addition, a range of 3-D real-time LiDAR imaging sensors used in autonomous vehicles were displayed. Also, a single desktop implementing a high power resonant wireless charging solution capable of generating 300 W to wirelessly power a wide range of devices including cell phones, notebook computers, monitors, wireless speakers, smart watches, and table lamps.

EPC公司将在3月14至16日于中国深圳及上海各大论坛及展会亮相，展示氮化镓技术的卓越性能如何为整个半导体业界带来全新电源转换设计思路，包括无线充电、DC/DC、激光雷达及汽车等应用领域。

EPC公司的管理及技术团队将在中国深圳及上海于3月14至16日举行的各大业界论坛及展会上，与工程师会面并作技术交流。届时，EPC团队将分享如何发挥氮化镓场效应晶体管（GaN FET）及集成电路的最高性能、创新设计，从而为工程师及其客户，打造共创共赢新局面。

EPC2112 and EPC2115 GaN-based monolithic integrated solutions offer power systems designers the ability to increase efficiency in an extremely small size.

EL SEGUNDO, Calif. — March 2018 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) announces the EPC2112 and EPC2115 enhancement-mode monolithic GaN power transistor with integrated driver products. The EPC2112 is a 200 V, 40-mΩ eGaN^® FET plus integrated gate driver. In comparison, the EPC2115 is an integrated circuit with dual 150 V, 70-mΩ eGaN FETs plus gate drivers. Both products are capable of operating up to 7 MHz and are available in low inductance, extremely small, 2.9 mm x 1.1 mm BGA surface-mount passivated die.

Two space travel related stories hit my desktop this week; one that rapidly generated major international headlines and one that slid very quietly onto my email screen.

The headline-hitter was the successful launch of Elon Musk’s SpaceX rocket with its payload of a Tesla sports car, complete with a dummy driver at the wheel. The second was about Gallium Nitride technology that would be suitable for space applications.

Electro Pages
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宜普电源转换公司（EPC）与工程师分享经过专业制作的6个视频，展示出在最终客户端的应用，例如无线充电桌面、高性能激光雷达、48 V–1.8 V DC/DC单级转换，以及利用氮化镓晶体管及集成电路实现准确控制的马达驱动器等应用。

宜普电源转换公司（www.epc-co.com.cn）制作了6个精简视频，展示出在最终客户端采用eGaN^® FET及集成电路eGaN® FET及集成电路的应用。这些视频描述氮化镓技术正在改变我们的生活方式，并挑战功率系统设计工程师如何在他们新一代的功率系统设计中，发挥高效氮化镓场效应晶体管及集成电路的优势。

基于氮化镓材料的场效应晶体管正在颠覆功率转换市场和替代硅基MOSFET。 与MOSFET相比，更快速的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）可以在最细小的体积内实现更高的开关速度。 氮化镓器件的承诺是可以大大缩减电源供应器的体积及重量。为了实现最高的潜在性能， 这些具备高性能的氮化镓晶体管需要最优化的栅极驱动器。

Peregrine Semiconductor
2016年7月12日
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在2014年，美国的数据中心用上了1000亿千瓦小时（KWh）能量。雪上加霜的是，这个快速增长的所需能量，大部分是由基于超过一世纪前设立的基建、非常低效的供电网路支持。浪费了的能量有多严重？供电网路为一个数字晶片提供150 W功率，而实际上，它可能只需要100 W。 此外，由于在电源转换过程中，每一瓦功耗会转化为热量，因此实际上所浪费的能量更大。而我们必需利用昂贵及耗电的空调机来为伺服器群散热。空调机大约需要1 W来除去1 W的功耗，这相等于已经低的能源转换效率将再降低一倍。

全新半导体材料的出现可提高能源转换效率，其成本也可以更低。在伺服器群中的功率结构的最后阶段解决低效率的问题，可以实现每年节省70亿千瓦小时的能量。如果一并计算空调机的能源成本，总成本倍增并占了美国的所有伺服器的总能耗的14%。所能够节省的成本也是非常巨大的。以每一千瓦小时的平均成本0.12美元来计算，每年可以节省的总成本高达17亿美元，这还没有包括由于采用更少数量的功率转换器及空调机而得以额外节省的系统成本。

Datacenter Dynamics
2015年12月15日
作者：Alex Lidow
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