我们讨论无线充电的发展已经有相当的一段时间，无线充电不是一个全新的议题。可惜的是，该技术一直以来仍然未被消费者广泛地采纳。可是，传输线圈的设计最近采用了创新的方法，使得无线充电技术做好准备，可以被广泛应用于不同的领域。

How2Power
2017年5月
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氮化镓（GaN）功率晶体管专为高效电源转换而设计，投产已经有7年了。由于氮化镓器件具备优越的开关速度，因此它推动了新兴市场的发展，例如激光雷达、包络跟踪及无线充电市场。 这些市场使得氮化镓产品得以大量投产、实现低生产成本及高可靠性。 这些优势对于就算是比较保守的设计工程师来说，都是十分吸引的，使得他们在诸如DC/DC转换器、AC/DC转换器及汽车应用中，开始了对氮化镓器件进行评估。那么，目前120亿美元的硅基功率MOSFET市场在转为氮化镓晶体管市场的过程中，还有什么阻力吗？信心。

Alex Lidow
2017年3月
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参看EPC公司于APEC 2017展示基于氮化镓技术的各种应用。

EDN Network
2017年4月3日
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于2017年APEC研讨会上，宜普电源转换公司（EPC）展示出采用氮化镓(eGaN)技术的各种应用以证明它即将改变我们的生活方式。

Electronics360
2017年3月29日
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宜普电源转换公司（EPC）宣布位于美国弗吉尼亚州Blacksburg的eGaN^® FET及 IC应用中心落成启用并聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师

宜普电源转换公司（EPC）宣布位于美国弗吉尼亚州(Virginia)的Blacksburg应用中心落成。该中心进一步支持增强型氮化镓晶体管及集成电路的研发及应用，从而扩大潜在市场的覆盖率。除了基于传统的场效应晶体管及集成电路的功率转换应用外，氮化镓技术推动新兴应用的出现，包括无线电源传输、应用于全自动驾驶车辆的激光雷达技术及 支持4G和5G通信标准的包络跟踪应用。

氮化镓集成电路：提高伺服器的功效 --不论是大、小规模的数据中心都要面对减低功耗、冷却及占用空间等问题，而这些问题也是在伺服器内所面临及需要解决的问题。有的时候，细微的改变也可带来重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow在本PSDcast中与Power Systems Design 的Alix Paultre分享氮化镓技术的发展趋势。目前业界终于从多个制造商出发，开发出氮化镓技术可以实现的各种解决方案，让我们看到实际的design-in项目及基于氮化镓功率器件的产品的出现。

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Power Systems Design
2016年7月21日

在本投影片，EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何带领业界采用氮化镓（GaN）技术，实现革命性的突破。

由于氮化镓器件比硅器件高效，因此使得数据中心节省大量能源，并且极具潜力可以推动计算机产业超越摩尔定律。

insideHPC
2016年7月20日
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EPC分享由专家制作的关于终端应用的6个视频，例如无线电源传送、单级48 V–1 V DC/DC转换，以及采用氮化镓晶体管及集成电路、面向4G/LTE基站的包络跟踪等应用。

宜普电源转换公司制作了6个视频，于网上分享采用eGaN^® FET及集成电路（IC）并面向最终用户的应用。这些视频展示出氮化镓技术如何改变了我们的生活方式及挑战功率系统设计工程师如何在他们的新一代功率系统设计中发挥氮化镓场效应晶体管的卓越性能。

The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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硅谷有赖硅材料而得以蓬勃发展。但该材料的性能已经达到最高极限。有些人预见，未来将是氮化镓材料的世界。什么是氮化镓？这意味着什么？

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电力的成本反映了社会经济是否发展良好。这是因为具备成本效益的电力可提高生活质素、推动全新应用的出现及业界的健康发展。氮化镓器件的出现可替代备受尊敬但日益陈旧的硅技术及解决方案，使得我们可满足社会对更高效电源的要求并带领业界的发展。

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采用无线电源充电的产品不断增多及各种移动应用采用多种不同的无线电源标准使消费者容易混淆，而且阻碍无线电源应用的普及。本章讨论可支持多种模式并工作在各种高（6.78 MHz）低（100 kHz - 315 kHz)频率的放大器拓扑。

EEWeb - Wireless & RF 杂志
2015年8月
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一种全新产品的面世有可能使检查大肠中的癌细胞好像吞下药丸般这么容易。这种技术是基于一种由宜普电源转换公司（EPC）开发的全新晶片，该晶片并没有使用硅技术 -- 它使用了氮化镓（GaN）技术。宜普公司的首席执行官Alex Lidow对Quartz谈及他们公司的晶片可以耐受Check Cap内的各个感应器所需的高电压。

Quartz
2015年7月30日
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This column evaluated the ability to parallel eGaN^® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

Electronic Design杂志编辑Don Tuite访问Alex Lidow，内容涵盖EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的最新及新颖应用。

Electronic Design杂志
2014年3月
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EPC公司Michael de Rooij与Power Systems Design 杂志编辑Alix Paultre分享无线电源传送解决方案。

Power Systems Design杂志
2014年3月
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The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.

EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.

Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014

本章展示氮化镓场效应晶体管如何推动具高度谐振、松散耦合性、工作在6.78 MHz ISM频带的无线电源传送技术，实现高效无线能源传送，并与工程师分享使用电压模式D类及E类方法的范例。

EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月