The GaN power device industry has probably generated less than $2.5M revenues in 2011, as only 2 companies (IRF & EPC Corp.) are selling products on the open market. However, the overall GaN activity has seen extra revenues as R&D contracts, qualification tests and sampling for qualified customers was extremely buoyant.

http://www.news10.com/story/17735484/power-gan-2012?clienttype=printable

EL SEGUNDO, Calif. – April, 2012 - Efficient Power Conversion Corporation, (www.epc-co.com) the leader in enhancement mode gallium nitride FET technology, announces today that it has been recognized with inclusion in the EE Times Silicon 60 list of 60 Emerging Startups. Companies are selected by the editorial team at EE Times based on a mix of criteria including: technology, intended market, maturity, financial position, investment profile, and executive leadership.

"It is an honor to receive this recognition from EE Times as one of the hottest emerging electronics companies and as EE Times has noted, 'an emerging company worthy of tracking,'" commented Alex Lidow, CEO, Efficient Power Conversion Corporation.

eGaN® FET 的高性能正在更快地被DC/DC 电源转换、负载点转换器、D类音频放大器及高频电路等应用采用，而TI推出业界首款100V半桥GaN FET驱动器（LM5113），经过优化，配合氮化镓场效应晶体管使用，则更进一步推动eGaN FET在高性能电信、网络以及数据通信中心的应用。

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电子设计技术（2012年4月书刊

EDN 电子杂志2012年第04期

Written by Peter Clarke - 3/7/2012 2:20 PM EST

LONDON - The market for power devices implemented in gallium nitride was less than $2.5 million in 2011, according to market research firm Yole Developpement (Lyon, France). However, there is a great deal of R&D activity and Yole sees the power GaN market growing to nearly $0 million in 2012 and $500 million in 2016.

研讨会：在2012年2月9日举行的电力电子应用技术研讨会（APEC）

主讲者：Alex Lidow博士

内容：Lidow博士是电源转换公司首席执行官，为這家公司的共同创辦人及现 有HEXFET功率 MOSFET 技术的共同发明者之一。Lidow博士将在这个研讨 会与工程师分享增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)如何在体积及性能方面比硅功率MOSFET卓越很多。

德州仪器公司发布了一个全新应用于高密度电源转换器、专门驱动MOSFET及氮化镓场效应晶体管的低侧栅极驱动器(LM5114)。 这个驱动器适用于低侧应用，包括同步整流器及经过功率因数较正的转换器。加上在2011年推出的业界第一个100V半桥氮化镓场效应晶体管驱动器(LM5113)，这个产品系列提供了完整的隔离DC/DC电源转换驱动器解决方案，专门驱动应用于高效电信、网络及数据中心的具大功率输出特性之氮化镓场效应晶体管及MOSFET。请浏览www.ti.com/gan 以取得详情、样片及评估板的资料。

这本由业界专家撰写的“应用于高效电源转换系统的氮化镓晶体管”教科书，提供氮化镓晶体管的科技理论和应用教材。

宜普电源转换公司（www.epc-co.com ）宣布出版了旨在为电源系统设计工程师提供基本技术和应用资料，以怎样利用基于氮化镓的晶体管，设计出更高效的电源转换系统。

1/3/2012

德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖。该著名行业杂志的读者皆为电子设计工程师，经过编辑评审过千于2011年发布的产品，选出于以下各方面表现优胜的产品：创新设计、于技术或应用方面取得重大发展及具成本和性能超卓优势。

德州仪器推出业界首款针对增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的驱动器。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。国半的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。

“我们衷心祝贺德州仪器荣获这个殊荣。LM5113桥式驱动器为设计工程师提供一个确实的plug & play解决方案，加速业界采用eGaN ®FET及其普及化。LM5113释放了eGaN FET的效能优势，帮助设计工程师实现功率及系统密度方面的全新性能基准。”宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow 说。

http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx