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Electronic Design杂志编辑Don Tuite访问Alex Lidow,内容涵盖EPC公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的最新及新颖应用。
Electronic Design杂志
2014年3月
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在EEWeb Pulse 访问里,宜普公司首席执行官Alex Lidow讨论如何推动氮化镓器件的广泛应用。
EEWeb Pulse
日期:2013年6月
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研讨会:在2012年2月9日举行的电力电子应用技术研讨会(APEC)
主讲者:Alex Lidow博士
内容:Lidow博士是电源转换公司首席执行官,为這家公司的共同创辦人及现 有HEXFET功率 MOSFET 技术的共同发明者之一。Lidow博士将在这个研讨 会与工程师分享增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)如何在体积及性能方面比硅功率MOSFET卓越很多。
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Alex Lidow is interviewed by ECN's Editorial Director, Alix Paultre, on the Tinker's Toolbox, ECN's audio interview website. The interview explores the attributes of GaN technology, applications opened as a result of GaN's superior performance to MOSFETs and reasons for the take-up of eGaN FET products over the past year.
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MOSFET、IGBT可以休矣,即将成为过去,在这个250亿美元的市场取而代之的将是GaN功率器件——这是EPC首席执行官Alex Lidow日前在接受EDN China专访时的说法。Lidow博士之前在IR担任了12年CEO,在2007年他创立了宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation,EPC),他在斯坦福大学的博士论文就是关于HEXFET功率MOSFET的,是相关专利的发明者之一。在HEXFET专利过期之前,相关版税已超过9亿美元。
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