Electronic Design杂志编辑Don Tuite访问Alex Lidow，内容涵盖EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的最新及新颖应用。

Electronic Design杂志
2014年3月
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宜普公司David Reusch谈论增强型氮化镓器件及没有使用封装以减少损耗

Electronic Products
2013年10月
http://bcove.me/ukn7dtt1

在EEWeb Pulse 访问里，宜普公司首席执行官Alex Lidow讨论如何推动氮化镓器件的广泛应用。

EEWeb Pulse
日期：2013年6月

作者 ：Alix Paultre
杂志 ：Power Systems Design

这个podcast的内容是关于我们与宜普电源转换公司Alex Lidow的谈话内容，Alex主要分享全新氮化镓器件的技术及它们对电源业界的影响。宜普公司是基于增强型氮化镓的电源管理器件的领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，应用范围包括负载点转换器、以太网供电、服务器、计算机应用的直流-直流转换器、LED高效照明、移动电话、射频传送、太阳能微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282。

研讨会：在2012年2月9日举行的电力电子应用技术研讨会（APEC）

主讲者：Alex Lidow博士

内容：Lidow博士是电源转换公司首席执行官，为這家公司的共同创辦人及现 有HEXFET功率 MOSFET 技术的共同发明者之一。Lidow博士将在这个研讨 会与工程师分享增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)如何在体积及性能方面比硅功率MOSFET卓越很多。

Alex Lidow is interviewed by ECN's Editorial Director, Alix Paultre, on the Tinker's Toolbox, ECN's audio interview website.  The interview explores the attributes of GaN technology, applications opened as a result of GaN's superior performance to MOSFETs and reasons for the take-up of eGaN FET products over the past year.

Listen to Interview

MOSFET、IGBT可以休矣，即将成为过去，在这个250亿美元的市场取而代之的将是GaN功率器件——这是EPC首席执行官Alex Lidow日前在接受EDN China专访时的说法。Lidow博士之前在IR担任了12年CEO，在2007年他创立了宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation，EPC），他在斯坦福大学的博士论文就是关于HEXFET功率MOSFET的，是相关专利的发明者之一。在HEXFET专利过期之前，相关版税已超过9亿美元。

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