Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.

By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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高压氮化镓器件即将商用化，制造商终于可预期它的市场发展速度将非常迅猛

杂志：Compound Semiconductor
2014年7月
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氮化镓器件于2020年的销售额预期可达差不多6亿美元并大约需要制造58万片6英寸晶圆。氮化镓器件的市场将于2016年起发展迅猛，至2020年的複合年均增长率达80%，这个预期是基于EV/HEV预计从2018至2019年开始采纳氮化镓得出。于2015年至2018年，电源供电/功率因数校正将成为主要市场并将最后占氮化镓器件销售总额 50%，届时氮化镓器件于车用市场将急起直追。

Yole Development公司
2014年6月
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业界迅速采纳基于氮化镓的功率器件，因为氮化镓器件的工作频率及开关速度是硅功率器件所不能实现的。

Power Electronics Europe
作者：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士及 David Reusch博士
2014年6月

硅半导体技术的供应链已经投放超过千亿美元，使得它难以置信地极具效率。制造新兴的高性能氮化镓晶体管如何在这方面可与硅器件匹敌？答案很简单，我们利用硅器件的供应链来制造氮化镓器件，因此可大大降低氮化镓晶体管的制造成本。

Power Systems Design
作者：Alex Lidow
2014年 5月 27日

应用于功率转换领域的硅器件的性能已接近其理论极限。氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）将取代大部分市值120亿美元的硅功率MOSFET市场。目前已经有产品投产，其性能比硅器件的理论性能极限好5至10倍。

杂志：Bodo’s Power Systems
作者：Alex Lidow
2014年5月

Examining new products released by: Texas Instruments, Analog Devices, Linear Technology, Maxim-Integrated, Intersil, Fairchild, EPC, and IR, Don Tuite finds a common thread: the companies’ products are doing the heavy lifting for their customers.

Electronic Design
Don Tuite
January 6, 2014

www.bodospower.com在电源转换领域，硅基氮化镓技术作商业应用的竞赛有不断加剧的趋势。截至2012年12月为止，业界大约有7间供应商占领导地位，其它则有超过20多间半导体供应商参加这个竞赛。详情请浏览www.bodospower.com。

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Gallium nitride has long been known to have useful properties when it comes to electronic components. Even so, its application has largely been confined to more exotic areas of the industry, particularly rf transistors.

But GaN is beginning to find application in what could be considered the mainstream, with some of its proponents suggesting its arrival could mark the beginning of the end for the traditional power mosfet.

By: Graham Pitcher
New Electronics
December 13, 2011
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MOSFET、IGBT可以休矣，即将成为过去，在这个250亿美元的市场取而代之的将是GaN功率器件——这是EPC首席执行官Alex Lidow日前在接受EDN China专访时的说法。Lidow博士之前在IR担任了12年CEO，在2007年他创立了宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation，EPC），他在斯坦福大学的博士论文就是关于HEXFET功率MOSFET的，是相关专利的发明者之一。在HEXFET专利过期之前，相关版税已超过9亿美元。

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