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How GaN Power Transistors Drive High-Performance Lidar: Generating ultrafast pulsed power with GaN FETs

How GaN Power Transistors Drive High-Performance Lidar: Generating ultrafast pulsed power with GaN FETs

Light detection and ranging (lidar) is a versatile light-based remote sensing technology that recently has been the subject of great attention. It has shown up in a number of media venues and has even led to public debate about the engineering choices of a well-known electric car company, Tesla Motors. While this article is not going to enter the fray, it will provide some background on lidar and discuss its strong connection to power electronics technologies.

Published in: IEEE Power Electronics Magazine ( Volume: 4, Issue: 1, March 2017 )
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EPC eGaN的性能进一步接近完美功率元件的性能

EPC eGaN的性能进一步接近完美功率元件的性能

宜普电源转换公司(EPC)的第五代(Gen5)产品改善了工艺、性能而同时降低可买到的氮化镓晶体管的成本,以及缩小其芯片和电路板的尺寸。

EPC首席执行官及共同创办人Alex Lidow与他的团队再次发挥专业精神,为设计师提供面向全新市场的独特、可选的、需要比基于硅基器件更高效的功率解决方案。 团队不仅仅在技术方面各有所长,并深入地了解制造工艺的量子力学,从而提高产品性能而同时缩小EPC解决方案的尺寸及降低其成本。

EDN
2017年3月15日
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氮化镓元件制造商EPC公司在实现替代硅基晶片方面大步向前走

氮化镓元件制造商EPC公司在实现替代硅基晶片方面大步向前走

3300亿美元的硅晶片市场是所有电力电子行业的发展基础。但成熟技术引发一轮购并后,该业界的发展步伐缓慢下来。

这就是为什么创新者和主力推动利用氮化镓替代硅材料的Alex Lidow认为目前是氮化镓时代。他的宜普电源转换公司(EPC)推出新一代eGaN晶片,比之前的晶片的尺寸小50%和性能高出很多倍。

VentureBeat
2017年3月15日
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EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃

EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃

EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET),对比前一代的产品,这些晶体管的尺寸减半,而且性能显著提升。

全球增强型氮化镓晶体管领袖厂商、致力于开发创新的硅基功率场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶体管,在提升产品性能之同时也可以降低成本。100 V的EPC2045应用于开放式伺服器架构应用于开放式伺服器架构以实现48 V至负载的单级电源转换、负载点(POL)转换器、USB-C及激光雷达(LiDAR)等应用。200 V 的EPC2047的应用例子包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器

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宜普电源转换公司(EPC)将于APEC 2017国际研讨会展示基于eGaN技术的应用如何改变了我们的生活方式

宜普电源转换公司(EPC)将于APEC 2017国际研讨会展示基于eGaN技术的应用如何改变了我们的生活方式

宜普电源转换公司将于国际著名功率电子与应用研讨会(APEC®2017)展示超过25多种基于卓越氮化镓技术的演示电路,以及它如何改变了我们的生活方式。我们的技术专家将以GaN® FET和集成电路技术为主题,举行合共七场技术演讲。

宜普电源转换公司的团队将于2017年3月26日至30日在美国佛罗里达州Tampa举行的APEC 2017研讨会,举行以氮化镓(GaN)技术及应用为主题的七场演讲。此外,EPC将展示最新的eGaN FET及集成电路,以及分享客户采用eGaN技术的最终产品。

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我们如何设计不用电源线的电视机?

我们如何设计不用电源线的电视机?

电视机可以无线方式来取得电视内容,但它必需配备一组电源线来供电。消费电子行业一直在构想电视机如何不用电源线,但这个目标无从实现。原因有多个,例如很难符合大屏幕电视机所要求的高功率和需要找出更经济的技术。但是,eGaN FET晶体管可以使得电视机真正不需要使用电源线来供电。

Power Electronic Tips
2017年2月23日
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氮化镓盯紧基于硅器件的数据中心的庞大市场潜力

氮化镓盯紧基于硅器件的数据中心的庞大市场潜力

在深度学习盛行下,数据中心的功率密度再次备受关注,并且产生了全新的商业机遇,包括支持30 kW/rack 以上的设备内的专有云端服务,以及为提高系统能效以解决功率密度问题的功率转换公司提供机遇 。氮化镓是功率转换晶片的全新半导体材料,可替代硅器件、实现体积小很多、能效更高及开关速度快速很多的器件。

Data Center Knowledge
2017年2月
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Tech Blog Writer 播客 #180 – 为什么氮化镓技术即将颠覆硅技术?

Tech Blog Writer 播客 #180 – 为什么氮化镓技术即将颠覆硅技术?

宜普电源转换公司(EPC)于本年1月在拉斯维加斯举行的CES 2017展览演示氮化镓(GaN)如何成为全自动驾驶车辆背后的重要技术、没有电源线的未来家居、联网汽车及药丸内含微型X光系统以非侵入式方法进行结肠镜检查。可以替代半导体业界最常用的硅器件是一种名为氮化镓(GaN)的全新材料,而性能更优越的EPC的GaN器件名为eGaN器件。硅技术帮助Intel公司建立其王国,它有可能被GaN替代吗?你将从本播客知道更多。硅技术在数字时代的日子将不会长久,而各家公司必需颠覆破坏其对手,抑或是被颠覆破坏。喜欢技术及希望知道业界发展方向的朋友会喜欢本播客。嘉宾资料:Alex Lidow博士是EPC公司的首席执行官兼共同创办人。他会为大家解答氮化镓是什么、为何使用氮化镓技术及该技术何去何从等问题。

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Tech Blog Writer 播客
2017年1月 20日

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无线电源应用的挑战和机遇

无线电源应用的挑战和机遇

无线电源传输(WPT)技术在不久的未来势将为我们的电力电子世界带来颠覆性创新成果。由MIT 分拆出来的WiTricity公司的总裁Eric Giler于2009年的精彩TED演讲题目为“无线电力演示”。他演示了如何利用无线电源传输技术为一部小型TV供电,时为2009年。之后该技术一直发展至现在。你可继续阅读全文以了解这个让人赞叹的领域如何为设计工程师提供发展机遇。 

EDN Network
2017年1 月26日
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宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州Blacksburg的eGaN FET及 IC应用中心落成启用并聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师

宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州Blacksburg的eGaN FET及 IC应用中心落成启用并聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师

宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州Blacksburg的eGaN® FET及 IC应用中心落成启用并聘任Suvankar Biswas博士为高级应用工程师

宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州(Virginia)的Blacksburg应用中心落成。该中心进一步支持增强型氮化镓晶体管及集成电路的研发及应用,从而扩大潜在市场的覆盖率。除了基于传统的场效应晶体管及集成电路的功率转换应用外,氮化镓技术推动新兴应用的出现,包括无线电源传输、应用于全自动驾驶车辆的激光雷达技术及 支持4G和5G通信标准的包络跟踪应用。

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Podcast: Bloomberg Radio Interview with Alex Lidow at CES 2017

Podcast: Bloomberg Radio Interview with Alex Lidow at CES 2017

EPC CEO and Co-Founder, Alex Lidow, discusses the life changing applications on display at CES with Bloomberg Radio. Applications such as LiDAR for autonomous cars with the potential to disrupt the transportation industry and wireless power with the potential to eliminate power cords are highlighted as well as how GaN enables these new technologies.

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Bloomberg
January, 2017

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与MOSFET相比,基于eGaN FET的开发板展示出eGaN FET具备超快速的转换速度特性,在自动驾驶汽车可实现优越的激光雷达(LiDAR)系统性能

与MOSFET相比,基于eGaN FET的开发板展示出eGaN FET具备超快速的转换速度特性,在自动驾驶汽车可实现优越的激光雷达(LiDAR)系统性能

EPC9126开发板基于具备超快速的转换速度特性的eGaN® FET,可通过大电流脉冲及低至5 ns的总脉宽来驱动激光二极管,从而提高激光雷达系统的侦测资料的质素,包括侦测资料的准确度、精准度及处理速度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9126评估板。该板是基于100 V大电流脉冲激光电源设计,可驱动激光二极管。在自动驾驶汽车的激光雷达系统中,侦测目标物件的速度及准确性非常重要。EPC9126评估板展示eGaN FET具备快速转换速度的特性,与等效MOSFET相比,eGaN FET可以高达快十倍的速度提供功率脉冲来驱动激光二极管,从而提高LiDAR系统的整体性能。

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