宜普电源转换公司(EPC) Alex Lidow于2015年APEC研讨会上展示由氮化镓器件推动的无线电源传送应用

Power Systems Design
2015 年3月19日
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Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.”

IEEE Spectrum
May 8, 2015
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宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow与Power Systems Design杂志编辑Alix Paultre分享全新eGaN FET系列，实现具备优越性能、更小的尺寸、高可靠性及低成本的器件。价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓晶体管的普及化的最后一个壁垒，而价格已经下降。

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Power Systems Design
2015年4月29日

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow一直专注于制造创新产品，目的在延长摩尔定律的寿命。Intel及业界认为传统硅晶片技术已经达到顶峰 --不久有公司将制造出一种硅材料可以实现的低成本及高效的晶片。Lidow说他找出一种比硅在很多方面都更为优胜的半导体材料--氮化镓材料（GaN）。氮化镓晶片无论是在实验室或实际上的多个范例都比硅晶片优越、具备更低的制造成本及使用现有制造硅晶片的基础设施，而且氮化镓器件更为稳固及需要更少的保护性元素。

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PandoDaily
2015年4月21日

摩尔定律的预测已经变成自我应验的预言。芯片的运算性能不仅仅是已经在每两年/24个月得以倍升，它必需在每24个月内倍升才可以使科技业界及整个经济不致陷入苦境、阻遏创新及经济发展进程。

读过的文章
re/code
Alex Lidow
2015年4月17日

Dean Takahashi at VentureBeat profiles Alex Lidow. Silicon chips have had a decades-long run as the foundation for modern electronics. But a new kind of chip, based on the compound material gallium nitride (GaN), promises to unseat silicon because it has higher performance, less power consumption, and lower cost.

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VentureBeat
April 2, 2015

Enhancement-mode gallium nitride (GaN) transistors have been commercially available for over five years. Commercially available GaN FETs are designed to be both higher performance and lower cost than state-of-the-art silicon-based power MOSFETs. This achievement marks the first time in 60 years that any technology rivals silicon both in terms of performance and cost, and signals the ultimate displacement of the venerable, but aging power MOSFET.

EDN
Alex Lidow
February 18, 2015

宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow在他的职涯中用了大部分时间开发一种可以替代硅技术的超高效技术。详情请在线观看Bloomberg TV的访问。

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Bloomberg TV
2015年2月17日

Bloomberg Business的Ashlee Vance 剖析宜普电源转换公司（EPC）的发展。一直以来，硅保留了它对半导体行业发展的影响力。在过去的60年里，晶体管所使用的半导体材料以硅为首选。晶体管就是细小的开关，它是驱动信息时代发展的动力。硅谷也以此材料而命名，而且许多公司藉着它打造出价值十亿元的王国。现在我们把眼光移离硅元素 -- 它最终有可能处于被取替的边缘。

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Bloomberg Business
2015年2月12日

60年以來业界首次见证全新的半导体技术以更低的成本制造出比硅器件具备更高的性能的晶体管。氮化镓（GaN）技术展示了它显著提升了晶体管的性能之外，氮化镓器件的制造成本比硅器件可以更低。由于氮化镓晶体管具备快速开关特性，在高压及大电流工作时它比任何前代的晶体管都更为优越，支持开发全新的应用。这些特性非常优越，可推动全新并改写未来的应用的出现。但是氮化镓技术的发展还是刚刚开始，它的发展前景将无可限量。

读过的文章

EDN杂志
作者：Alex Lidow
2015年1月

In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss the 4th generation of eGaN FETs in 48 VIN applications and evaluate the thermal performance of the chipscale packaging of high voltage lateral eGaN FETs.

EEWeb
By: Alex Lidow
December, 2014

DesignCon 2015’s Thursday (January 29th) keynote speaker will be Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder of Efficient Power Conversion Corporation (EPC). For most of his career, Alex has focused on improving the efficiency of power conversion in hopes of reducing the environmental impact of energy production and consumption. As an R&D engineer at International Rectifier, he co-invented the HEXFET power MOSFET. The patents from this invention brought in more than $900M. Alex holds numerous additional patents in power semiconductor technology, including basic patents in power MOSFETs as well as in GaN FETs. He recently co-authored the first textbook on GaN transistors, “GaN Transistors for Efficient Power Conversion”. You can catch Alex’s keynote speech at DesignCon 2015 on Thursday, January 29, 12:00 PM – 12:30 PM.

EDN
December 3, 2014
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In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss a new family of eGaN FETs that is keeping Moore’s Law alive with significant gains in key switching figures of merit that widen the performance gap with the power MOFET in high frequency power conversion.

EEWeb
By: Alex Lidow
October, 2014

在下一代功率晶体管当中，氮化镓（GaN）技术为可替代硅MOSFET器件的其中一种技术。 当硅技术在性能上已经达到它的极限时，氮化镓器件具更卓越的传导性能及更快速开关性能。Alex Lidow在本播客将讨论氮化镓与硅功率器件的差异。

Power Electronic TIPS
2014年９月

本章展示在10 MHz频率开关、采用氮化镓场效应晶体管的硬开关降压转换器的结果及提供转换器功耗的细数。此外，我们将展示采用氮化镓场效应晶体管的转换器目前所取得无可匹敌的高频性能及如果要推动器件工作在更高频率时所面对的限制。

EEWeb
作者：Alex Lidow
2014年8月

Intent on flooding power device markets with GaN-on-silicon FETs, Alex Lidow, EPC, talks to Compound Semiconductor about future market opportunities.

Compound Semiconductor
July, 2014
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本章将讨论我们设计的氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）模块使得电源转换系统设计师很容易可对具超卓性能的氮化镓晶体管进行评估

EEWeb
作者：Alex Lidow
2014年6月

IEEE功率电子协会（PELS）将于6月4日举行在线研讨会，届时Alex Lidow及Michael de Rooij将讨论eGaN®功率晶体管如何提高无线电源传送系统的效率。

氮化镓晶体管设计及应用专家宜普电源转换公司（EPC）将于6月4日在美国东部夏令时间（EDT）早上10时30分至11时30分举行一小时在线研讨会，由IEEE学会的功率电子协会（PELS）赞助。

Electronic Design杂志编辑Don Tuite访问Alex Lidow，内容涵盖EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的最新及新颖应用。

Electronic Design杂志
2014年3月
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本章我们回到讨论硬开关转换器，但不同的是晶体管在更高频率的条件下工作，超越硅技术的实际限制。

EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月