作者：Diego de Azcuénaga

本文从技术角度分析 EPCSC401 演示板的设计与性能，评估其抗辐射能力、热效率及高频开关拓扑结构。

航天电源系统设计对功率密度和效率的要求日益提高，已超出传统硅 MOSFET 的物理极限，其热损耗和受限的开关频率显著增加了有效载荷的重量。因此，凭借更宽的禁带宽度和更高的电子迁移率，GaN 技术成为新航天（NewSpace）架构中不可或缺的突破性技术。EPCSC401 演示板有助于推动这一转型，使工程师能够在极端辐射条件下评估同步式 GaN 功率级。

阅读更多 – 《Electronics Era》，第20页

Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC