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如何使用200V eGaN<sup>®</sup>场效应管（FET）设计高效的2.5 kW、通用输入电压范围、功率因数校正（PFC）400 V整流器

11月 03, 2020

如何使用200V eGaN^®场效应管（FET）设计高效的2.5 kW、通用输入电压范围、功率因数校正（PFC）400 V整流器

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

致谢 - 这份应用说明和相关硬件是在德克萨斯大学奥斯汀分校的半导体电力电子中心（SPEC）的合作下开发的。

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