6月 28, 2020
Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder
封装的SEE免疫和抗辐射增强模式氮化镓(eGaN)器件在性能上显著优于老化的抗辐射硅MOSFET,能够在更高频率、更高效率和更高功率密度下工作,从而实现新一代的太空电源转换器。
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GaN FET 及集成电路
评估板
The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion (How2AppNote 005)
How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout (How2AppNote 007)