GaN技术杂谈

在不断发展的电力电子领域中，效率、尺寸和可靠性始终是关键指标。EPC 以其最新创新产品 EPC2366 树立了新的行业标杆。这款 40 V GaN FET 采用超紧凑的 3.3 × 2.6 毫米 QFN 封装，充分展现了功率半导体技术的前沿水平。

在接受 MakerPROTW 特约编辑 Judith Cheng 的采访时，Efficient Power Conversion（EPC）联合创始人兼首席执行官 Alex Lidow 介绍了公司目前已投入量产的第七代氮化镓（GaN）技术，以及该技术对传统上由硅 MOSFET 主导的低压应用所带来的影响。随着 40 V 的 EPC2366 等器件已进入批量生产，EPC 正将 GaN 定位为 40 V 及以下电压范围内的主流选择——这一市场规模甚至超过了 GaN 最初取得突破的 100 V 细分市场。