GaN技术杂谈

当宽禁带半导体进入市场时，其应用领域划分相当明确。SiC 在600V以上电压范围挑战硅，而 GaN 则在约100V至600V的应用中与硅竞争。

Power Systems Design
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近年来，氮化镓（GaN）功率器件的进步显著拓展了其在40 V以下低电压应用中的工作范围。由于硅MOSFET具有良好的导通性能、成熟的制造工艺以及经过验证的可靠性，历史上一直主导这一电压区间。

PCIM Mesago
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