GaN技术杂谈

在接受 MakerPROTW 特约编辑 Judith Cheng 的采访时，Efficient Power Conversion（EPC）联合创始人兼首席执行官 Alex Lidow 介绍了公司目前已投入量产的第七代氮化镓（GaN）技术，以及该技术对传统上由硅 MOSFET 主导的低压应用所带来的影响。随着 40 V 的 EPC2366 等器件已进入批量生产，EPC 正将 GaN 定位为 40 V 及以下电压范围内的主流选择——这一市场规模甚至超过了 GaN 最初取得突破的 100 V 细分市场。

计算和电信市场的快速扩展要求中间总线转换器提供更加紧凑、高效和高功率密度的解决方案。LLC谐振转换器是提供高功率密度和高效解决方案的出色候选者。eGaN® FETs凭借其超低的导通电阻和寄生电容，有助于LLC谐振转换器显著降低损耗，而这是使用硅MOSFET时很难实现的。采用EPC2053和EPC2024等eGaN FETs的48 V到12 V，900 W，1 MHz LLC DC到DC变压器（DCX）转换器被证明实现了98.4%的峰值效率和超过1500 W/in3的功率密度。

eGaN® FETs和ICs由于其紧凑的尺寸、超高速开关和低导通电阻，使得非常高密度的电源转换器设计成为可能。大多数高密度转换器输出功率的限制因素是结温，这需要更有效的热设计。eGaN的芯片级封装还提供了六面散热，能够从芯片的底部、顶部和侧面有效地散热。本应用说明介绍了一种高性能的热解决方案，以提高基于eGaN转换器的输出电流能力。

增强型氮化镓电力设备（eGaN® FETs 和 ICs）为用户提供了差异化其最终产品的途径。这项新技术在我们常用的电源和电路中提供了显著更高的效率，推动了我们的设备和电子设备的发展。

本文最初于 2018 年 5 月 16 日星期三发布在化合物半导体网站上。了解更多有关 eGaN 技术和 EPC 氮化镓解决方案在汽车应用中的应用。

本文最初发布于2018年5月在Bodo's Power Systems网站。了解更多关于eGaN技术和EPC GaN解决方案的汽车应用。

This post was written by EDN senior technical editor, Steve Taranovich for the Power-management Design Center , How To Article section on APEC 2017. Originally published on April 03, 2017.”

Every year in January 2017, the world’s consumer electronics community gathers in Las Vegas at the Consumer Electronics Show (CES) to see, learn and discuss the latest innovations and products available in the world of electronics.

More than 3,800 exhibitors spread out across 2.47 million net square feet of exhibit space, is the location where over 170,000 industry professionals, 50,000 outside of the U.S. wander, ogle, and “play with” the latest electronic devices.

GaN technology is disruptive, in the best sense of the word, making possible what was once thought to be impossible – eGaN® technology is 10 times faster, significantly smaller, and with higher performance at costs comparable to silicon-based MOSFETs. The inevitability of GaN displacing the aging power MOSFET is becoming clearer with domination of most existing applications and enabling new ones.