GaN技术杂谈

了解在选择氮化镓（GaN）栅极驱动器时应考虑的关键因素，在这里为您的电力电子产品设计做出最佳选择。

可持续能源是当今全球重要需求。发展中经济体努力建设能源基础设施以支持工业和为偏远村庄供电。与此同时，工业化经济体正在努力平衡对更大供电需求的相互冲突和减少对环境的影响。氮化镓(GaN)集成电路为设计人员提供具备更高功率密度、更高效和可使能新应用优势的功率器件。随着全球能源成本的上升，氮化镓器件的普及化急剧加快也就不足为奇了。

为参加在休斯敦举行的应用电力电子会议 (APEC)的准备工作正在紧锣密鼓地进行中。团队非常高兴能再次面对面展示，展示各种演示，展示GaN的优异性能如何在计算、通信和电子移动等多个行业中转变电力传输方式。

EPC开发板提供了在常见应用中评估eGaN® FET和IC的机会。例如，EPC9094半桥开发板可以配置为降压或升压转换器。EPC9094的特点是新发布的EPC2054 200 V 43 mOhm最大eGaN FET，封装为1.3 x 1.3 mm的2 x 2引脚WLCSP封装。这种非常小的FET的超低RDS(on)值使其能够支持高压电源的高电流负载。为了展示这一能力，我们将把EPC9094开发板修改为降压转换器。使用140 V电源，Spice模拟显示2.5 A负载下，输出为28 V，效率高达90%。选择了Vishay IHLP-4040DZET330M11电感，33 uH，4.4 A，95 mOhm最大值，10.2 x 10.8 x 4 mm，它将在500 kHz时提供40%的纹波。输出电容包括四个10 uF Y5V 50V 1210陶瓷电容。模拟显示在500 kHz到375 kHz之间改变开关频率时，纹波电流与整体效率之间存在权衡。模拟还显示，调整死区时间以允许从高到低的全ZVS过渡最大化了降压转换器在轻载下的效率性能。

直到最近，从音频放大器获得高质量声音需要花费数千美元，并且依赖于大型、笨重、耗电的A类放大器。现在，氮化镓FET和IC的出现正在引领高质量、低成本的D类音频放大器的时代。

脉冲激光雷达系统通常使用 905 nm 或 1550 nm 激光进行光发射。1400 nm 以上时，眼睛的各种元素会吸收光线，阻止其到达并损害视网膜。随着激光功率的增加，并非所有光线都被吸收，在某些情况下可能会发生视网膜损伤。由于 905 nm 的光不会被吸收，因此它会到达视网膜，因此必须小心限制能量密度以防止损伤。

由Steve Colino共同撰写

Brick DC-DC 转换器广泛应用于数据中心、电信和汽车应用中，将标称的48 V母线转换为（或从）标称的12 V母线。氮化镓（GaN）集成电路（IC）技术的进步实现了半桥和栅极驱动器的集成，提供了简化布局、最小化面积和降低成本的单芯片解决方案。

亲爱的EPC的朋友、同事和合作伙伴：

增强型氮化镓电力设备（eGaN® FETs 和 ICs）为用户提供了差异化其最终产品的途径。这项新技术在我们常用的电源和电路中提供了显著更高的效率，推动了我们的设备和电子设备的发展。