GaN技术杂谈

借助我们的死区时间优化指南，释放基于氮化镓器件的电机驱动器的潜力。提高效率、增强绩效和提高投资回报率。

与电压等级一起，RDS(ON) 是一个常见的参数，用于描述硅MOSFET和氮化镓FET。RDS(ON) 是在给定技术平台内描述器件尺寸及其成本的良好指标。然而，在大多数开关电源转换器中，损耗是导通损耗和开关损耗的组合。因此，RDS(ON) 既不是不同技术平台之间也不是同一技术平台内的可靠性能指标。 这在设计师从硅MOSFET转换到氮化镓FET时尤其如此。

当引入像EPC的GaN功率FET和IC这样的“位移”技术并且新的性能水平成为可能时，建模您的设计可以为电路的能力和需求提供舒适和洞察力。此博客文章讨论了最新添加到“EPC GaN Power Bench，我们的在线建模工具库，EPC的GaN FET热计算器！

GaN FET的开关速度比Si MOSFET快得多，导致许多系统设计师会问 − 更快的开关速度如何影响EMI？