3月 03, 2021
David Reusch, Ph.D., Principal Scientist, VPT
电力电子工程师不断努力设计更高效率和更高功率密度的产品，同时保持高可靠性并尽量降低成本。设计技术的进步和改进的元件技术使工程师能够持续实现这些目标。电力半导体是这些设计的核心，其改进对于更好的性能至关重要。在这篇EPC空间博客中，我们将展示氮化镓（GaN）电力半导体如何在太空应用的恶劣辐射环境中实现创新。
6月 28, 2020
Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder
封装的SEE免疫和抗辐射增强模式氮化镓（eGaN）器件在性能上显著优于老化的抗辐射硅MOSFET，能够在更高频率、更高效率和更高功率密度下工作，从而实现新一代的太空电源转换器。
1月 31, 2020
Nick Cataldo, Senior Vice President for Global Sales and Marketing
亲爱的EPC的朋友、同事和合作伙伴：
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GaN FET 及集成电路
评估板
The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion (How2AppNote 005)
How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout (How2AppNote 007)