GaN技术杂谈

氮化镓(GaN)器件是一种非常坚硬和在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料，用于生产功率器件、射频元件和发光二极管 (LED)。其开关频率远高于硅器件，使电力电子设计人员能够利用氮化镓器件创建更小、更高效、性能更高的系统，这是以前采用硅技术难以实现。

直到最近，从音频放大器获得高质量声音需要花费数千美元，并且依赖于大型、笨重、耗电的A类放大器。现在，氮化镓FET和IC的出现正在引领高质量、低成本的D类音频放大器的时代。

高效电源转换（EPC）正在使老化的硅功率MOSFET与eGaN®晶体管之间的性能差距扩大一倍，达到200 V额定值。新一代第五代器件的尺寸约为上一代的一半。性能提升源自两个主要设计差异，如图1所示。左侧是第四代200 V增强型GaN-on-Si工艺的横截面。右侧是第五代结构，具有缩短的栅极和源极电极之间的距离，并添加了一层厚金属。这些改进，加上许多未显示的其他改进，使新一代FET的性能提高了一倍。