让基于氮化镓器件的设计实现做高性能的设计提示
众所周知，与传统硅 FET 相比，氮化镓 (GaN) FET 具备更卓越的电路性能。 我们将在本次线上研讨会为您展示如何透过简单且不昂贵的设计技巧，容易在您的设计中采用GaN FET，跟使用硅 FET 一样的简单。
议题：发挥基于氮化镓器件解决方案最高性能的设计提示
- 充分发挥氮化镓器件速度的最佳布局技术
- 简单、不昂贵的散热技术，可从GaN设计中取得更多功率，并介绍新推的线上热计算器
- 死区时间、QRR和 COSS在各种应用中的影响
- 全新的交叉参考工具，基于您的设计参数，为您的设计推荐最合适的GaN FET