氮化镓器件的可靠性— 它已被证明比硅器件更稳健可靠
氮化镓器件自2010年3月开始量产，并在实验室测试和大批量客户应用中表现出非常高的可靠性，具有卓越的现场可靠性记录。在本次线上研讨会中，了解更多广泛的可靠性测试结果的信息，从而进一步认识GaN器件在各种应力条件下和应用中的行为，以及知道我们如何基于这些知识来创建更稳固的氮化镓器件。
在本次线上研讨会中，我们将讨论：
- 基于物理的寿命模型证明在栅极应力总电压和温度范围下所预测的eGaN器件寿命。
- 第一性原理数学模型从热载流子散射到表面陷阱的基本物理特性，描述了eGaN FET中的动态RDS(on)效应。该模型对于预测器件在更复杂任务中经受不同电压和温度的寿命最有用。
- 器件在经历四年和2260亿小时的运行时间后所取得的现场可靠性数据，大部分在车用或电信基站应用进行测试。