相比硅元件，氮化镓元件在性能上实现质的飞跃

EPC的最新一代技术把器件的尺寸缩小一半但提升其性能达3倍。更低的成本和更高的性能使得氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）和集成电路的发展进入“良性循环”（virtuous cycle）的轨度，在性能/成本上继续扩大与等效、日益老化的硅基功率MOSFET的绩效差距。