在48 V - 1.8 V DC/DC转换采用GaN FET 与MOSFET的比较

EPC公司最新一代的工艺再一次击败硅基MOSFET功率元件,实现更高性能的元件而同时缩小元件的尺寸及降低成本。本视频展示出100 V 的GaN FET与等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、小很多的占板面积、功耗低30%及提高功率密度达3倍。