宜普公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow 将与工程师分享专为工作在10 MHz频率范围而设的全新增强型氮化镓（eGaN^®）高电子迁移率晶体管系列，由于这些晶体管在经过辐射照射后仍然具高可靠性，因此它们是高可靠性应用的理想器件。

硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将在四月三日于美国南卡羅來納州的Charleston市举行的第39届GOMACTech年度研讨会演讲。

自2010年以来，增强型氮化镓晶体管已作 商业用途 ，并大大地提高商用及使用不同拓扑及功率级的DC-DC转换器的效率。此外，该晶体管也被展示了可 抵受很高伽玛剂量的辐照并通过单次事件效应（SEE）测试。 与耐受辐照的功率MOSFET器件相比，氮化镓场效应晶体管可改善影响开关性能的品质因数达40倍，使得宇航级供电应用设计师可实现商用先进系统的效率。

Alex Lidow称「我们很高兴藉着这个机会与工程师分享宜普公司最新一代高性能氮化镓功率晶体管以及这些器件经过辐照测试后所取得的优异成绩。专为在数MHz频率开关的转换器应用而设的硅基氮化镓功率晶体管可帮助设计耐辐射系统的工程师实现与商用先进系统一样的功率密度及效率。」

关于2014年GOMACTech 研讨会

GOMACTech 旨在为政府系统中的微电路应用复审其开发项目。于1968年开始，该研讨会主要关注由国防部及其他政府机构所开发的系统的进程，并公布政府在微电子发展方面的重要建议如VHSIC及MIMIC，以及作为政府复审项目的平台。

 

宜普电源转换公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括 直流- 直流转换器、 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术（LiDAR） 及 D类音频放大器 等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ( [email protected])