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宜普电源转换公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化镓功率晶体管可以进一步扩大与其它器件相比的绩效差距

Posted 2015年5月28日
宜普电源转换公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化镓功率晶体管可以进一步扩大与其它器件相比的绩效差距

eGaN®功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能，从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为260 A及200 V的EPC2034)的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“Relaxed Pitch”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）实现大电流承载能力。

器件型号 VDS RDS(on)
(典型值)		 QG
(典型值)		 ID
(脉冲)		 尺寸 单价
(以1000片计算)
EPC2033 150 V 5.0 mOhm 10 nC 260 A 2.6 mm x 4.6 mm $4.25
EPC2034 200 V 7.0 mOhm 8.5 nC 140 A 2.6 mm x 4.6 mm $4.37

开发板

为了简化对这些高效的氮化镓场效应晶体管进行评估，EPC推出EPC9047 开发板，使得工程师可以容易对EPC2033“在电路中”的性能进行评估。该开关板包含了所有重要元件以易于与任何转换器连接。

EPC9047 开发板采用半桥拓扑，尺寸为2英寸乘1.5英寸。该板含两个EPC2033 eGaN FET、采用德州仪器的