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宜普电源转换公司(EPC)将于APEC国际研讨会展示基于eGaN技术的应用如何改变了我们的生活方式

宜普电源转换公司(EPC)将于APEC国际研讨会展示基于eGaN技术的应用如何改变了我们的生活方式

宜普电源转换公司将于国际著名2016年APEC®功率电子与应用研讨会展示面向广阔应用领域并基于卓越氮化镓技术的20多种演示电路。氮化镓技术切实改变了我们的生活方式。我们的技术专家将以最新技术为主题,举行合共六场演讲。

宜普电源转换公司的团队将于2016年3月20日至24日在美国加州Long Beach举行的2016年APEC研讨会,举行以氮化镓(GaN)技术及应用为主题的六场演讲。此外,EPC将展示最新的eGaN® FET及集成电路,以及分享客户的基于eGaN技术的最终产品。 在探究各个应用领域的发展之同时,即场演示包括与Qi及AirFuel标准兼容并支持多模式解决方案的无线电源系统、单级48 V转1 V DC/DC转换器、利用LiDAR技术制作实时3D图像的照相机及与LTE兼容的包络跟踪电源。欢迎莅临我们的展台(#2244)参观。

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Thoughtful Board Design Unlocks the Promise of GaN

Thoughtful Board Design Unlocks the Promise of GaN

Power transistors with faster switching speeds will enable power supplies with smaller form factors and higher energy transfer efficiencies. Indeed, the elimination of heat sinks will give designers the ability to visualize entirely new form factors for power bricks and modules, including those enabling wireless power transfers. Gallium-nitride (GaN) transistors fabricated on silicon substrates can boost efficiencies and help shrink the footprint of power supplies.

Electronic Design
March, 2016
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采用eGaN FET设计的包络跟踪电源支持20 MHz LTE带宽

采用eGaN FET设计的包络跟踪电源支持20 MHz LTE带宽

本篇文章阐述面向使用第四代移动通信技术(4G)LTE带宽的无线通信基站基础设施并采用EPC8004高频氮化镓场效应晶体管设计的包络跟踪电源。基于eGaN® FFET并采用四相位拓扑的软开关降压转换器可以准确地跟踪峰均比(PAPR)为7 dB的20 MHz LTE包络信号,提供60 W以上的平均负载功率,而总效率可高达92%。这种设计的可扩展性能可以支持不同的功率级别,工程师只需选择不同的EPC场效应晶体管设计不同的系统,从而可以满足不同功率级别的要求。

Bodo’s Power Systems
张远哲博士及Michael de Rooij博士
2016年3月
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基于EPC eGaN FET 的100 W并可实现92%效率的开发板与工作频率为6.78 MHz的AirFuel无线充电标准兼容

基于EPC eGaN FET 的100 W并可实现92%效率的开发板与工作频率为6.78 MHz的AirFuel无线充电标准兼容

采用eGaN®FET、工作在6.78 MHz频率并与AirFuel无线电源标准兼容的EPC9065开发板可以实现最高功率及最高效率。

宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9065开发板,可作为面向AirFuel联盟的Class 4及Class 5无线电源传送应用的放大器功率级。 该板的配置采用零电压开关(ZVS)差分模式D类放大器拓扑,而且不只限于6.78 MHz工作频率(最低ISM频带)。

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宜普电源转换公司(EPC)推出面向扩增实景和全自动驾驶汽车应用 的全新eGaN FET,实现极高的分辨率

宜普电源转换公司(EPC)推出面向扩增实景和全自动驾驶汽车应用 的全新eGaN FET,实现极高的分辨率

全新的EPC2040氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)具备超快速开关性能,可以支持需要更高分辨率及准确性、使用脉冲式镭射驱动器的应用,诸如在扩增实景(augmented reality)系统及全自动驾驶汽车中,利用光学遥感技术(LiDAR )、三维感测的导航系统。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2040功率晶体管,它是一种超小型、具备快速开关性能的氮化镓功率晶体管,面向高速终端应用,可实现优越的分辨率、更快速的响应时间及更高准确度。此外,由于在整个工作温度范围内,器件具有高准确度门限,因此当镭射受热,可确保系统的稳定性。例如该晶体管在LiDAR 技术所采用的脉冲式镭射驱动器是理想的器件。LiDAR技术是全自动驾驶汽车的导航系统及扩增实景平台的重要技术。EPC2040的优越性能在这些系统中可以实现更高准确度及分辨率。

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Radiated EMI Filter Design for an eGaN FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer

Radiated EMI Filter Design for an eGaN FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer

In this installment, we present a method to design a suitable EMI filter that can reduce unwanted frequencies to levels within radiated EMI specifications, and do this without negatively impacting the performance of the wireless power coil. In addition, the overall radiated EMI design aspects will also be covered.

EEWeb - Wireless & RF Magazine
Michael de Rooij, Ph.D.
February, 1, 2016
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