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基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构及工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板

EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。

宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068开发板,可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器。这些开发板专为功率系统设计师而设,对氮化镓晶体管的优越性能进行评估方面提供了简易方法,使得设计师的产品可以快速量产。三块开发板都配备了具有零QRR、同步自举整流器的栅极驱动器,从而在高达15 MHz的高频工作条件下可以提高效率。该些开发板在降压转换器及D类放大器配置的最大输出电流为2.7 A。在整个电流范围都可以降低损耗。

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随着「氮化镓沙滩」的来临,硅谷要当心了

随着「氮化镓沙滩」的来临,硅谷要当心了

Alex Lidow是一个有使命感的人。他在美国加州成立的宜普电源转换公司(EPC)在全新应用中使用氮化镓(GaN)晶片而摒弃硅基技术。这些应用包括无线电源充电、4G LTE、扩增实景(AR)及全自动驾驶车辆等令人感到兴奋的应用领域。

可是,这种热门新技术最后能否替代被普遍采用的硅基晶片及占据其高达3000亿美元的半导体市场份额吗?

Fox Business
作者:Steve Tobak
2016年3月18日
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追求高功效的服务器

追求高功效的服务器

备受关注的议题诸如能量收集及无线电源传输将很大机会於下星期举行的APEC会议亮相。与会者将关注并监控氮化镓晶体管的发展。可是,持续提高数据中心的电能传输的效率将会是多家公司的“bread-and-butter”重要目标。

EE Times
半导体产业分析师、顾问Stephan Ohr
2016年3月16日
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浴火重生:企业家如何挑战硅谷

浴火重生:企业家如何挑战硅谷

Alex Lidow获得Stanford大学应用物理学博士学位后,于国际整流器公司(IR)工作了30年。IR公司是半导体制造商,是他的父亲Eric Lidow于1940年代成立的上市公司。

Alex开拓IR公司的功率管理技术、共同发明该公司的主要产品的共有专利权,以及在1995年与Derek Lidow 两兄弟担任IR公司的共同首席执行官。于1999年,Derek离开IR公司并成立iSupply市场调研公司后,Alex成为IR公司的首席执行官。

Entrepreneur
Steve Tobak
2016年3月
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宜普电源转换公司(EPC)的可靠性测试报告记录了超过170亿小时测试器件的可靠性的现场数据,结果表明器件的失效率很低

宜普电源转换公司(EPC)的可靠性测试报告记录了超过170亿小时测试器件的可靠性的现场数据,结果表明器件的失效率很低

EPC公司的第七阶段可靠性报告表明eGaN®FET非常可靠,为工程师提供可信赖及可 替代采用传统硅基器件的解决方案。

宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告,展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果,以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得的现场评估的结果是一致的,证明在商业化的功率开关应用中,eGaN FET已经准备好可以替代日益老化的等效硅基器件。

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Rethinking Server Power Architecture in a Post-Silicon World

Rethinking Server Power Architecture in a Post-Silicon World

The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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eGaN Technology Reliability and Physics of Failure

eGaN Technology Reliability and Physics of Failure

In this series we will look at the various ways the reliability of eGaN® technology has been validated, and how we are developing models from our understanding of the physics of failures that can help predict failure rates under almost any operating condition. In this first installment and the next, we will look at the field experience from the past six years of GaN transistors use in a variety of applications from vehicle headlamps to medical systems to 4G/LTE telecom systems. Diving into the failure of each and every part leads to some valuable lessons learned.

Planet Analog
Chris Jakubiec, Robert Strittmatter, Ph.D., and Alex Lidow, Ph.D.
March 1, 2016
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