EPC推出采用紧凑型QFN封装(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。

2024年2月27日—全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。

宜普电源转换公司(EPC) 扩展了其封装兼容的ePower™ IC系列，提高功率密度和简化设计以满足DC/DC应用、电机驱动器和D类音频放大器的不同功率要求。

继早前推出的100 V、35 A功率级IC（EPC23102）之后，EPC公司新推两款新型100V功率级IC，其额定电流分别为15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。