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EPC 发布第 17 期可靠性报告：推进 GaN 可靠性和寿命预测
Posted 2025年3月11日
加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2025 年 2 月 — EPC，氮化镓 (GaN) 功率器件的领导者，宣布发布其
第 17 期可靠性报告，进一步巩固 GaN 在电力电子、汽车、人工智能、航天和工业应用中的高可靠性技术地位。
最新的可靠性报告引入了扩展的寿命模型、特定任务的可靠性预测以及基于物理的老化机制，为工程师提供更准确、更实用的 GaN 功率器件可靠性数据。
第 17 期可靠性报告的关键亮点
- 扩展的栅极寿命模型： 考虑了跨电压和温度的栅极漏电流效应，提升了冲击电离建模能力
- 重复瞬态栅极过电压测试： 研发并验证 7 V 栅极过电压额定值，应对现实应用中的共振类瞬态应力
- 增强的漏极过电压耐受性： 进一步验证 GaN 在重复瞬态漏源过电压条件下的卓越耐久性
- 新增脉冲电流额定数据： 测试超过 1 亿次脉冲，证明第五代和第六代 GaN 设备的参数漂移极小
- 全面的热机械寿命模型： 现已包括功率循环 (PC) 建模，对高应力应用（如汽车和 AI 电力系统）至关重要
- 特定任务的可靠性分析： 针对太阳能、激光雷达 (Lidar) 和 DC-DC 转换应用扩展分析，使工程师能够优化设计以实现长期运行
推动 GaN 在可靠性和性能上的发展
EPC 的“测试至失效”方法持续推动 GaN 技术超越传统硅 MOSFET。通过将现实应用中的应力条件整合到先进寿命模型中，第 17 期报告确保了对下一代电力应用更精确的可靠性预测。
本报告通过特定任务的预测和全新寿命模型，推进了 GaN 可靠性建模，使工程师能够自信地将 GaN 集成到高功率、高效率和高可靠性的设计中，
EPC 首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 说道。
获取方式
EPC 第 17 期可靠性报告可在 epc-co.com 下载。如需更多技术详情，
咨询 GaN 专家。
关于 EPC
EPC 是增强型模式氮化镓 (eGaN®) 功率管理领域的领导者。eGaN FET 和集成电路在性能上远超最佳硅功率 MOSFET，广泛应用于
DC-DC 转换器、
远程传感技术（激光雷达）、以及
电动出行、机器人和无人机的电机驱动。
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eGaN 是 Efficient Power Conversion Corporation, Inc. 的注册商标。
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