EPC 首款第七代 eGaN® 器件正式进入量产，相比硅 MOSFET 性能最高提升达 3 倍
加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 2026 年 1 月 30 日 – 全球增强型氮化镓（eGaN）功率器件领导者 Efficient Power Conversion（EPC）宣布，其 EPC2366 正式开始批量生产，这是其第七代（Gen 7）eGaN® 功率晶体管系列中的首款产品。该第七代平台树立了晶体管性能的新标杆。EPC2366 相比同等规格的硅 MOSFET，性能最高可提升达 3 倍。其典型 RDS(on) 为 0.84 mΩ，且高度优化的 RDS(on) × QG 品质因数（FoM）12.6 mΩ·nC，在降低导通损耗和开关损耗的同时，显著改善了热性能。该器件专为高效率、高功率密度电源系统而设计，在同步整流、高密度 DC-DC 转换、AI 服务器电源以及先进电机驱动等应用中表现尤为出色。
该器件支持最高 40 V 的漏源电压以及最高 48 V 的瞬态电压，连续漏极电流可达 88 A，脉冲电流高达 360 A，非常适合最严苛的功率系统应用。
得益于其紧凑的 3.3 × 2.6 mm PQFN 封装，该器件在高功率密度应用中具备优异的热性能，其结到壳的热阻仅为 0.6 °C/W。
EPC 首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 表示：“我们开发的第七代 GaN 平台在功率晶体管性能方面树立了新的行业标杆。40 V 的 EPC2366 是该系列中首款进入量产的产品。此外，EPC 目前已开始提供第七代 25 V 和 15 V 晶体管样品，并预计在 2026 年上半年将有更多产品转入量产。”
为加速设计导入和评估，EPC 同时提供 EPC90167 半桥评估板。该评估板采用低寄生布局，集成两颗 EPC2366 晶体管，支持标准 PWM 驱动信号和灵活的输入模式，为工程师在真实应用中评估器件性能提供了参考平台。
价格与供货情况
EPC2366 现已进入批量生产，并可通过 EPC 的全球分销渠道及直销方式订购，帮助客户在数据中心电源、同步整流级、电机驱动以及其他高功率密度电源转换应用中实现规模化设计。
EPC2366 eGaN FET 以每卷 3,000 只的包装形式供货，单价为 1.56 美元。
EPC90167 开发板单价为 211.65 美元。
EPC2366 与 EPC90167 演示板均可通过 Digi-Key 现货供应，详情请访问：https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc
有意用 GaN 解决方案替代硅 MOSFET 的设计人员，可使用 EPC GaN Power Bench 中的交叉参考工具，根据其特定的工作条件查找推荐的替代器件。该工具地址为：epc-co.com/epc/cn/设计支持/gan-power-bench/交叉參考搜索
关于宜普电源转换公司
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动出行、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。eGaN®是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com和观看优酷。
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