EPC首席执行官分析氮化镓在机器人和数据中心的应用前景

在过去几年中，宽禁带半导体的采用经历了惊人的增长，这似乎是一个向替代传统硅产品的趋势的巩固。硅碳化物已成功地针对电动车和充电基础设施，而氮化镓 (GaN) HEMT 最初进入了以消费者为导向的应用，主要是充电器和适配器。然而，GaN 的多功能性远超过简单的用于制造更轻更薄的充电器的 MOSFET 替代品。

氮化镓技术最初主要用于蓝色 LED 和射频功率放大器的研究，尽管如此，它展示了异常的电场强度和电子迁移率。这些属性与其制造“风格”完美契合。与硅功率组件不同，后者通过多个高温扩散步骤来创建掺杂区域，GaN HEMT 的特性归功于外延层堆栈的材料界面，而不是体掺杂剖面。

电力电子新闻
2026年4月
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