EPC9004C:开发板

EPC9004C : 200 V 半桥开发板

EPC9004C开发板具200 V最高器件电压、2 A最大输出电流、采用半桥拓扑及板载驱动器并采用EPC2012C增强型（eGaN®)场效应晶体管。

EPC9004C开发板旨在通过把所有重要元件集结在单板上并易于与任何现有的转换器连接，从而简化对EPC2012C氮化镓场效应晶体管进行评估的流程。

产品状况:停产产品
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EPC9004C Waveforms波形图、EPC9004C 作为 150 V 到 5 V / 2 A (100 kHz) 降压转换器的工作
CH1: 脉冲调制输入 – CH4: (VOUT) 开关节点电压
EPC9004C Parameters Table
* 假设电感式负载，最大电流取决于晶片的温度 – 实际最大电流取决于开关频率、总线电压及散热效率。
# 取决于“更新”高侧自举电路电源电压的所需时间。

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