EPC9039开发板

EPC9039: 采用增强型单片式半桥氮化镓器
件的80 V 开发板

大于97%的系统效率在20 A

EPC9039 开发板的最高器件电压为80 V、最大输出电流为17 A,采用半桥拓扑并含板载栅极驱动器及特色产品增强型氮化镓集成电路 - EPC2103 eGaNIC

该开发板旨在于一块单板上包含所有重要元件以易于连接至任何现有的转换器,从而简化对EPC2103 eGaNIC进行评估的过程。

立即购买
购买 eGaN FET及集成电路


向GaN技术专家请教

有没有电路设计及相关的提问吗?
向GaN技术专家请教

EPC9039 Efficiency Chart
典型效率: VIN=42 VOUT=12 V
EPC9039 Parameters Table
* 最大输入电压取决于感性负载。
** 最大电流取决于芯片温度——实际最大电流将受开关频率、总线电压和热冷却的影响。
对称eGaNIC适用于50%占空比或低降压比应用
# 受限于需要“更新”高侧自举电源电压的时间