EPC23104: 100 V, 15 A, QFN 封装, ePower™ 阶段集成电路

集成了高侧和低侧eGaN® FET，具有内部门极驱动器、级移器、引导电荷和门极驱动缓冲电路
功率级负载电流为1 MHz、输出电流为15 A
最大输入电压为100 V

EPC23104 GaN PowerIC
封装尺寸：3.5 mm x 5 mm

特点

  • 集成高侧和低侧eGaN FET，带内部栅极驱动器和电平转换器
  • 5V外部偏置电源
  • 3.3V或5V CMOS输入逻辑电平
  • 独立的高侧和低侧控制输入
  • 当输入同时为高电平时，逻辑锁定命令关闭两个FET
  • 外部电阻调节SW开关时间和超压尖峰，超过轨道和接地
  • 在硬开关和软开关条件下运行的强健电平转换器
  • 从快速开关瞬变中免受误触发
  • 高侧自举电源的同步充电
  • 禁用输入时，VDRV电源进入低静态电流模式
  • 低侧VDD电源的上电复位
  • 高侧VBOOT电源的上电复位
  • 当VDRV电源丧失时，HS FET和LS FET的主动栅极下拉
  • 具有裸露顶部的热增强QFN封装，以实现从结到顶侧散热器的低热阻

应用

  • 降压、升压、降压-升压转换器
  • 半桥、全桥 LLC 转换器
  • 电机驱动逆变器
  • D 类音频放大器
产品状况:推荐
寻找授权经销商
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗？
向GaN技术专家请教

数据表

器件模型

评估板

挑选适合您的设计的低成本评估板，开展您的创新旅程：

EPC91104 14 ARMS 三相 BLDC 电机驱动逆变板 寻找授权经销商
EPC91118 三相电机驱动逆变器 寻找授权经销商
EPC90152 100 V、14 A半桥评估板 寻找授权经销商
EPC91106 高功率密度，低轮廓，同步降压和升压转换器 寻找授权经销商

品质及可靠性

设计资源

应用笔记

器件模型

设计工具