EPC2373：15 V，0.47 mΩ GaN 功率晶体管

VDS, 15 V
典型值 RDS(on), 0.47 mΩ
ID, 88 A
脉冲 ID, 447 A

EPC2373 Enhancement Mode GaN Power Transistor
封装尺寸：3.3 mm x 2.6 mm

应用

  • 高速DC/DC转换器
  • 同步整流器
  • 服务器
  • 人工智能
  • 马达驱动器

优势

  • 超低QG
  • 极低导通电阻 (RDS(on))
  • 逻辑电平
  • 轻量
  • 带背面散热垫的 PQFN 封装
产品状况:工程产品
在购买器件时，产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态"，不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前，请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
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