EPC2007:增强型功率晶体管

VDS, 100 V
RDS(on), 30 mΩ
ID, 6 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2007 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.7 mm x 1.1 mm

应用

  • 高速直流-直流转换
  • 高频硬开关及软开关技术
  • 脉冲电流应用

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:停产产品
在全新设计中,请採用EPC2007C产品
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