EPC2308: 150 V, 6 mΩ增强型功率晶体管

VDS, 150 V
RDS(on), 4.5 mΩ
ID, 63 A
脉冲 ID, 157 A

EPC2308 Enhancement Mode GaN Power Transistor
封装尺寸:3 mm x 5 mm

应用

  • 同步整流应用到28V-36V-48V-54V
    • 充电器
    • 适配器
    • 电源/开关电源 100W – 500W
      • 手机和笔记本快速充电
      • 游戏电脑
      • 电动自行车
      • 电动滑板车
      • 电动工具
      • 吸尘器
  • 太阳能优化器

优势

  • 高效率
    • 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 无反向恢复 (QRR)
  • 超小外形尺寸
产品状况:推荐
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗?
向GaN技术专家请教