EPC23103: 100V, 25A, QFN封装, ePower™阶段IC

集成高侧和低侧eGaN® FET，带有内部栅极驱动器、电平转换器、自举充电和栅极驱动缓冲电路
功率级负载电流为1 MHz、输出电流为25 A
最大输入电压为100 V

EPC23103 GaN PowerIC
封装尺寸：3.5 mm x 5 mm

特点

  • 集成高端和低端 eGaN FET，带内部栅极驱动器和电平转换器
  • 5 V 外部偏置电源
  • 3.3 V 或 5 V CMOS 输入逻辑电平
  • 独立的高端和低端控制输入
  • 当输入同时为高电平时，逻辑锁定命令使两个 FET 关闭
  • 外部电阻器用于调节 SW 开关时间和轨上和地下的过电压尖峰
  • 在硬开关和软开关条件下运行的强大电平转换器
  • 快速开关瞬变的错误触发免疫
  • 高端自举电源的同步充电
  • 禁用输入使 VDRV 电源进入低静态电流模式
  • 低端 VDD 电源的上电复位
  • 高端 VBOOT 电源的上电复位
  • VDRV 电源丧失时，HS FET 和 LS FET 的主动栅极下拉
  • 热增强型 QFN 封装，顶部外露，具有从结到顶端散热器的低热阻

应用

  • 降压、升压、降压-升压转换器
  • 半桥、全桥 LLC 转换器
  • 电机驱动逆变器
  • D 类音频放大器
产品状况:工程产品
在购买器件时，产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态"，不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前，请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
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