EPC23104: 100 V, 15 A, QFN 封装, ePower™ 阶段集成电路

集成了高侧和低侧eGaN® FET，具有内部门极驱动器、级移器、引导电荷和门极驱动缓冲电路
功率级负载电流为1 MHz、输出电流为15 A
最大输入电压为100 V

EPC23104 GaN PowerIC
封装尺寸：3.5 mm x 5 mm

特点

  • 集成高侧和低侧eGaN FET，带内部栅极驱动器和电平转换器
  • 5V外部偏置电源
  • 3.3V或5V CMOS输入逻辑电平
  • 独立的高侧和低侧控制输入
  • 当输入同时为高电平时，逻辑锁定命令关闭两个FET
  • 外部电阻调节SW开关时间和超压尖峰，超过轨道和接地
  • 在硬开关和软开关条件下运行的强健电平转换器
  • 从快速开关瞬变中免受误触发
  • 高侧自举电源的同步充电
  • 禁用输入时，VDRV电源进入低静态电流模式
  • 低侧VDD电源的上电复位
  • 高侧VBOOT电源的上电复位
  • 当VDRV电源丧失时，HS FET和LS FET的主动栅极下拉
  • 具有裸露顶部的热增强QFN封装，以实现从结到顶侧散热器的低热阻

应用

  • 降压、升压、降压-升压转换器
  • 半桥、全桥 LLC 转换器
  • 电机驱动逆变器
  • D 类音频放大器
产品状况:工程产品
在购买器件时，产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态"，不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前，请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
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