EL SEGUNDO，加利福尼亚州 — 2021年9月 — 在设计其最新的高端Maxx系列多通道功率放大器时，innosonix GmBH关注的关键问题是待机功耗和整体效率。公司通过将传统的硅FET更换为EPC的EPC2059 eGaN FET，使得待机损耗降低了35%，并降低了导通电阻，从而提高了总功率效率5%。
EPC2059是一款6.8 mΩ，170 V增强型氮化镓（eGaN）晶体管，为高端放大器应用提供卓越的音频性能。EPC2059的低导通电阻和低电容使其能够实现高效率，并降低开环阻抗，以减少瞬态互调失真（T-IMD）。其快速切换能力和零反向恢复电荷使得输出线性度更高，交叉失真更低，从而降低总谐波失真（THD）。
通过使用EPC2059 eGaN FET，innosonix能够减少待机切换损失，因为总栅极电荷几乎减少了一半。输出电容仅增加了一倍，使得最大漏极电压增加了三倍，使Innosonix能够从全桥设计转换为半桥设计，这也降低了组件成本。低封装电感提供了干净的切换波形，从而导致几乎完美的切换电压，因此，更好的线性度。这导致谐波失真减少了近6dB，主观音质也有了明显的改善，使客户受益。
MAxx多通道功率放大器为住宅、科学、工业和许多其他需要高通道数量的应用设定了前所未有的高端音频安装标准。与前所未有的每通道低功耗相结合，MAxx系列完美地适应了现代世界减少CO2排放的要求，因为许多设备需要每天24小时、每周七天运行。
MAxx系列将在单个单元中提供最高的机架空间通道计数。这种高密度包装提供了一种全新的设计视角，传统解决方案无法实现。
“我们很高兴能与EPC合作。作为一家小公司，与一些大型半导体制造商做生意并被认真对待并不总是容易的。我们选择EPC2059 eGaN FET，因为它完美地符合innosonix的电压、电流和价格要求，其小型封装是设计高密度电路的一个令人印象深刻的特点”，innosonix的首席执行官Markus Bätz评论道。
沃尔夫拉姆·克鲁格（Wolfram Krüger），EPC欧洲销售副总裁补充说：“这一应用是氮化镓带来实际好处的绝佳示例。我们与我们的分销伙伴FinePower紧密合作，为innosonix寻找最佳的eGaN FET，以满足Maxx功率放大器所带来的设计挑战。”
关于EPC
EPC是增强模式氮化镓（eGaN®）基电力管理的领导者。eGaN FET和集成电路的性能远超最佳硅功率MOSFET，在应用中表现卓越，如DC-DC转换器、远程感测技术（激光雷达）、电动机驱动用于电动出行、机器人和无人机，以及低成本卫星。
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eGaN是Efficient Power Conversion Corporation, Inc.的注册商标。
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