Our next article in this issue is a review from our experienced audio measurements enthusiast, Stuart Yaniger, and explores the EPC9192 reference design from Efficient Power Conversion (EPC) for the latest EPC2307 eGaN FETs. As his title says, this is a new GaN technology option, encouraging developers to design high-performance Class-D audio amplifiers. EPC has launched the new EPC9192 reference design, enabling high power and high efficiency in a modular design, and the audioXpress review confirms the performance capabilities of the brand’s 200V, EPC2307 eGaN FETs in a ground-referenced, split dual supply single-ended (SE) design, rated to deliver 700W per channel into a 4Ω load. The article also explores why EPC GaN power devices are differentiated through the use of native enhancement-mode lateral GaN-on-silicon High Electron Mobility Transistors (HEMTs), eliminating the need for cascode architectures and the associated RDS(on) penalty at lower voltages. This makes EPC devices particularly competitive in the 15V to 200V range.

23 mm GaN inverter achieves 11 A_RMS continuous current at 48 V and 100 kHz PWM

EL SEGUNDO, Calif. – June 9,  2026 – Efficient Power Conversion (EPC), the world leader in enhancement-mode gallium nitride (eGaN^®) power devices, today introduced the EPC91132, a compact 3-phase BLDC motor drive inverter reference design based on the EPC33110 GaN three-phase module.

结合超低R_DS(on)与快速开关性能，助力紧凑型电源设计

加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 2026年6月8日 - Efficient Power Conversion（EPC），增强型氮化镓（eGaN®）功率器件的领导者，今日宣布其新款EPC2378 25 V eGaN功率晶体管已进入量产，使高密度电源系统设计人员能够在严苛的DC-DC转换应用中实现更高效率、更快开关速度和更高功率密度。EPC2378针对48 V至8 V或5 V LLC转换器次级侧的同步整流器应用进行了优化。除了同类最佳的410 µΩ典型R_DS(on)外，该器件还具有业界领先的低R_DS(on) x Q_G品质因数，可实现更高频率和更高效率的运行。这些性能对于AI基础设施、数据中心、电信、工业系统和先进计算平台等快速增长的市场尤其具有价值。

EPC91128–EPC91131评估板支持最高29 A_RMS相电流，可加快BLDC逆变器的开发。

加州埃尔塞贡多讯 – 2026年6月4日 – 增强型氮化镓（eGaN^®）功率器件领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）今日宣布推出EPC91128、EPC91129、EPC91130和EPC91131评估板。这些评估板是紧凑型、高性能的三相BLDC电机驱动逆变器平台，旨在加快采用GaN技术的新一代电机控制系统的开发。

基于GaN的设计为新一代AI电源实现97%满载效率

加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 2026年6月1日 – Efficient Power Conversion（EPC）公布了其EPC91123评估板的更多详细信息。这是一款800 VDC至12.5 VDC、6 kW隔离式转换器，旨在支持新一代AI数据中心电源架构。作为NVIDIA MGX™ AI Factory生态系统的贡献者，EPC提供先进的GaN电源转换解决方案，旨在支持新兴的800 VDC服务器架构，为新一代AI基础设施实现更高功率密度、更高效率和可扩展的机架级供电。

为AI工厂赋能：EPC GaN解决方案如何助力NVIDIA MGX架构实现性能飞跃

数字世界正在进入一场新的AI工业革命，数据中心正在转型为能够大规模生成智能的AI工厂。AI不再只是一个软件议题；它也正迅速成为一个基础设施议题。现代工作负载正从简单的人与AI交互，转向AI与AI协作，在这种模式下，智能体模型能够协调任务、自主推理，并在超长token序列中运行。这给基础设施带来了新的压力：系统不仅需要更强的原始计算能力，还必须满足对延迟、热管理和能源效率的严格要求。为了理解AI工厂如何在实践中构建，NVIDIA MGX™为可扩展、灵活的加速计算基础设施提供了模块化基础。虽然MGX解决了基础设施模块化和更快部署的问题，但另一个更严重的瓶颈正在形成：电源传输。随着AI系统变得更复杂、更密集，电源转换效率对于维持性能和效率至关重要。一项关键使能技术是Efficient Power Conversion（EPC）的氮化镓（eGaN®）解决方案，它可提供下一代AI基础设施所需的效率、功率密度和热性能。

作者：Maurizio Di Paolo Emilio

卫星有效载荷架构正在从固定功能处理链转向灵活的计算基础设施，能够直接在轨支持动态工作负载。这一转变反映了空间系统工程领域更广泛的变革，即航天器越来越需要在不完全依赖地面处理资源的情况下执行信号处理、传感器融合、异常检测和人工智能推理。

Mouser 将分销 EPC 最新 GaN 器件，助力高效率电源设计

加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 2026 年 5 月 18 日 — Efficient Power Conversion（EPC），作为基于增强型氮化镓（eGaN®）功率管理解决方案的全球领导者，提供覆盖 15 V 至 350 V 的 GaN 器件，今日宣布与Mouser Electronics, Inc. 达成全球分销协议。Mouser Electronics 是一家授权全球分销商，提供最新的半导体和电子元件。这项新的合作伙伴关系将使 Mouser Electronics 分销 EPC 的完整产品组合，包括  eGaN® FET 和 IC。

来自 EPC 和德州仪器（Texas Instruments）的专家解释了为什么 GaN 在关节级人形机器人电机驱动设计中占据主导地位。

一台人形机器人需要大约 40 到 80 个电机来驱动其四肢和躯干，而每只手还包含十多个额外电机，以实现灵巧操作。高密度的独立执行器带来了复杂的电力电子集成挑战，并且必须在人类尺寸限制内完成封装。

紧凑型电机驱动器和转换器可支持人形机器人、无人机和电池供电工具。从 800 V 到负载点的高功率密度 DC-DC 转换器采用 EPC 最新一代 GaN 器件。

加利福尼亚州埃尔塞贡多 - 2026 年 5 月 13 日 — Efficient Power Conversion (EPC)，作为增强型氮化镓（GaN）功率解决方案的全球领导者，将在 2026 年 PCIM Europe 展会上展示公司面向人形机器人、无人机和紧凑型电气化运动系统的最新一代 GaN 技术。该展会将于 2026 年 6 月 9 日至 11 日在德国纽伦堡举行，展位位于 9 号馆 304 号展位。展会期间，EPC 将展示其第 7 代 GaN 平台如何为下一代智能运动系统和 AI 电源传输实现紧凑、可量产的电源架构。这些器件可提供更高的开关频率、更低的损耗和更紧凑的布局，从而提升机器人运动控制中的效率和集成度。

在高效电力转换公司，我们正在用 eGaN 技术开拓电力电子新前沿，该技术使系统更小、更快、更高效。从机器人和无人机到人工智能和太空，EPC 帮助工程师简化设计，并将下一代创新带入生活。

作者 Marco Palma，电机驱动系统与应用总监，以及 Maurizio Di Paolo Emilio，高效电力转换（EPC）市场传播总监

氮化镓（GaN）功率器件正在推动新一代高效率、高功率密度的电机驱动系统的发展。与传统的硅MOSFET相比，GaN晶体管具有显著更低的栅极电荷、减少的输出电容和极低的导通电阻，使得电力转换器能够在更高的开关速度下工作。因此，基于GaN技术的电机逆变器可以实现超过100 kHz的开关频率，同时减少导通和开关损耗。这些特性使得被动元件更小，效率更高，并且系统设计更为紧凑。

Bodo的电力系统 – 五月刊

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与现有的硅MOSFET相比，GaN提供了更快的切换速度和更高的效率。需求在包括AI服务器电源、适配器、UPS系统和电动车充电器在内的广泛应用中迅速增长。特别是在基于48V的电源架构中，应用GaN可以减少超过20%的功率损失，使其成为数据中心和高性能计算环境中的关键技术。在这些趋势中，预计围绕GaN的功率半导体市场将重新组织，而现有价值超过200亿美元的MOSFET和驱动IC市场也正在经历快速变化。像EPC这样的公司正在加速过渡到GaN IC，而持续的技术进步正推动系统效率、尺寸缩小和可靠性的提高。在韩国，对GaN解决方案的需求也在稳步增长，特别是在电动车、可再生能源和电池系统等应用中。GaN作为一种核心技术，正因其提高功率效率的同时使设计更加紧凑和轻便而受到关注。

随着人工智能基础设施向800伏特配电迁移，以及仿人机器人将电力电子直接嵌入关节中，第7代GaN和集成GaN集成电路正在推动15伏至40伏关键电压范围内的效率更高、开关速度更快以及功率密度大幅提升 — 重塑硬件开发团队对下一代转换架构的处理方式。

随着人工智能基础设施向兆瓦级机架和800伏特配电架构扩展，以及仿人机器人将电力电子直接推入关节和执行器，转换效率、密度和动态性能的需求已经发生了根本性变化。传统的基于硅MOSFET的设计越来越受到开关损耗、热限制和物理占用空间的约束 — 尤其是在支撑电机驱动、点负载转换器和分布式机器人电源阶段的15伏至40伏范围内。

作者：毛里齐奥·迪·保罗·埃米利奥，市场总监，EPC – 高效电力转换

由于从传统自动化向移动机器人的持续转变，电机驱动电子的设计要求正在发生显著变化。在可穿戴技术、仿人机器人和空中平台集成的执行器中，体积、质量、效率、声学发射和动态响应都同时受到限制。在这些应用中，逆变器成为电机结构的紧密耦合组件，而不再是一个外围电源阶段。

在这段来自APEC的视频中，EPC的应用工程总监Alejandro Pozo展示了公司最新的低压eGaN FET解决方案，用于高电流降压转换器。他介绍了几个评估板，这些板配备了40V、25V和15V的器件，能够提供高达50A的电流，且效率高，即使不使用散热片，热升也非常低。Alejandro还重点介绍了紧凑的EPC90175半桥板，以及它与标准控制器和用于精确测试的测量硬件在苛刻应用中的集成。

EPC9186HC2 和 EPC9186HC3 评估平台利用 EPC2361 eGaN® FET 技术，支持高达 150 Arms 的高电流 BLDC 控制

加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 2026年4月14日 – 高效电力转换(EPC)，增强模式氮化镓(eGaN^®)电力器件的世界领导者，今天推出了 EPC9186HC2 和 EPC9186HC3 评估板，这两个高性能的三相 BLDC 电机驱动逆变器平台，专为包括机器人、工业自动化、轻型电动车、电动滑板车、叉车、农业机械、电池动力移动系统和高功率无人机在内的应用而设计。这些板支持高达 5 kW 的电机驱动系统，使工程师能够评估基于 100 V EPC2361 eGaN® FET 技术的紧凑型、高效率逆变器架构。

仿人机器人正在改变电机驱动电子设备的需求。在传统的工业驱动中，逆变器通常放置在外部柜子中，通过电缆与电机连接。然而，在仿人机器人中，执行器必须安装在模拟人类肩膀、肘部、手腕甚至手指动作的关节中。这种架构的转变迫使电力电子设备迁移到电机外壳内部，其中空间、热量散发和动态响应的要求显著更具挑战性。

在这段来自APEC的视频中，EPC公司电机驱动系统及应用部门主任Marco Palma展示了基于氮化镓(GaN)技术的先进电机驱动参考设计。他首先介绍了EPC91122参考设计，该设计采用EPC33110三相电源模块，用于驱动中型无人机电机和高扭矩的仿人机器人关节。随后，他介绍了EPC91121，这是一个高度集成的电源工具板，基于EPC最新的第7代40V GaN设备。这两个平台都展示了紧凑的形状因子、高效率以及从250瓦到5千瓦的容易扩展性，便于快速原型制作。

在过去几年中，宽禁带半导体的采用经历了惊人的增长，这似乎是一个向替代传统硅产品的趋势的巩固。硅碳化物已成功地针对电动车和充电基础设施，而氮化镓 (GaN) HEMT 最初进入了以消费者为导向的应用，主要是充电器和适配器。然而，GaN 的多功能性远超过简单的用于制造更轻更薄的充电器的 MOSFET 替代品。