ePower™ Stage IC 在故障情况下提供快速关断功能，支持连续 100% 占空比运行，并提供单输入引脚 PWM 选项，简化多轴设计

加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 2026年4月2日 – Efficient Power Conversion（EPC，宜普电源转换公司），增强型氮化镓（eGaN®）功率器件的领导者，推出了新一代 100 V 集成 GaN 功率级 IC - EPC23108、EPC23109、EPC23110 和 EPC23111 - 面向高性能运动和电源系统，例如人形机器人、无人机以及其他紧凑型电池供电平台。这些器件旨在简化实施，并提高实际环境中的运行稳健性，同时保留集成 GaN 技术典型的效率和功率密度优势。

EPC 开发了一种新的转换器，专为基于人工智能的“挎斗”服务器设计，其中电源与信息技术设备分开架设。这块板是一种固定比率转换器，可以将 800 伏降至 12 伏。为了实现总输出功率 6 千瓦，设计使用了额定功率为 750 W 的 100 伏至 12 伏模块。这些单独模块的输入串联在一起，而它们的输出则并联连接。

整个 6 千瓦模块具有紧凑的物理尺寸，长 106 毫米，宽 47 毫米，仅有 8 毫米厚。这种高度的小型化是通过 GaN 技术实现的。

EPC 展示了 EPC 91122 板，该板配备了 EPC 3111 模块，这是一个 100 伏特的三相模块，专为电机控制应用设计。

该板集成了控制器、功率模块、两个电流传感器和一个位置传感器。由于氮化镓 (GaN) 技术支持 100 kHz 的切换频率，设计完全依赖于 MLCC 电容器，完全消除了对体积较大的电解电容器的需求。

在这次网络研讨会中，高效电力转换（EPC）的首席执行官Alex Lidow详细介绍了GaN是如何跨越关键性能边界，现在在所有电压和所有拓扑结构中均优于最好的硅MOSFET。您将看到关于导通电阻、硬切换和软切换损失以及在人工智能、服务器和点负载转换器中的实际效率提升的具体数据 - 从数十伏降至低至1伏以下的电压。Lidow还预览了未来以集成为重点的几代产品，这些产品将GaN推向其理论极限。

氮化镓（GaN）功率器件通过结合宽禁带物理特性与针对高速、低损耗运行而优化的横向 HEMT 结构，正在重新定义开关转换器的极限。本文介绍了 GaN 如何成为 100–650 V 等级中硅 MOSFET 的天然继任者，并展示材料品质因数如何直接转化为更低的导通电阻、更高的开关频率，以及在具有竞争力的成本下实现更高得多的功率密度。

自 20 世纪 70 年代末以来，硅功率 MOSFET 凭借多数载流子工作、坚固耐用和易于驱动等优势，取代了双极型晶体管，推动了开关模式功率转换的发展。数十年来，单元间距、沟槽和超结等结构的持续改进，在保持击穿能力和可制造性的同时，不断降低 R_DS(on) 。然而，在 100–600 V 范围内，硅如今基本已达到单极器件的理论极限。

EDN
2026 年 3 月

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电力电子技术中最古老的挑战之一是并联多个晶体管以获得更高电流的开关。这项任务很少是简单的，因为两个或更多的晶体管从未表现出完全相同的电气参数，这阻碍了电流的均匀分配。

对于早期电源转换器的设计者来说，这项任务更加艰巨，因为当时可用的组件是电流驱动的双极结晶体管（BJTs）。这意味着不能利用任何固有的稳定效应来帮助实现均匀的电流共享。实际上，所需的基极-发射极电压（V_BE）随着温度的升高而降低（-2 mV/°C）——在正常操作下——因此即使是小的不平衡也会导致电压较低的晶体管导通更多电流并进一步升温，从而导致故障。

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围绕第七代EPC2366 eGaN® 功率晶体管构建的50 A_RMS三相逆变器平台，在APEC的EPC展位上展出

圣安东尼奥，德克萨斯州 - 2026年3月23日 - 在2026年的APEC会议上，高效功率转换（EPC），一家增强模式氮化镓（eGaN®）功率器件的领导者，正在推出EPC91121电机驱动逆变器评估板，该板围绕第七代EPC2366 40 V eGaN® 功率晶体管构建，并在公司展位（#1935）展示该平台。

缩小实验室生成的可靠性测试与实际任务剖面之间的差距

加州埃尔塞贡多 – 2026年3月19日 – Efficient Power Conversion（EPC），增强型氮化镓（eGaN^®）功率器件的全球领导者，今日宣布发布其第18阶段可靠性报告，为eGaN器件可靠性提供新的见解。该报告在以往工作的基础上，缩小实验室生成的可靠性测试与真实世界任务剖面下器件性能之间的差距。报告引入了新的方法，可在应用特定应力条件下更好地预测器件寿命；这些方法是在与客户密切合作的基础上形成，并由同行评审研究和国际会议发表成果提供支持。

100V GaN基于的逆变器参考设计，提供50 ARMS相电流，集成感测和高达150 kHz的PWM操作。

加州埃尔塞贡多 – 2026年3月12日 – 高效电力转换（EPC），增强模式氮化镓（eGaN^®）电力设备的全球领导者，今天宣布推出EPC91202评估板，这是一个完整的三相BLDC电机驱动逆变器，旨在加速高效电机驱动应用的开发，应用领域包括机器人技术、电动移动性、无人机、工业自动化和电池供电系统。

在这个视频中，您将看到与Alex Lidow的对话——他是在国际整流器公司任职期间发明了最初的功率MOSFET和HEXFET的发明者。Alex后来成为了他父亲创立公司的首席执行官，如今是高效功率转换（EPC）的创始人兼首席执行官，该公司以生产市场上一些最高效的GaN FETs而闻名。在讨论中，您将听到功率MOSFET是如何在Alex工作的第一天就被发明的故事，以及这一突破是如何塑造现代电力电子技术的。

对话还深入探讨了硅物理学、GaN技术的崛起，以及人工智能数据中心和仿人机器人日益增长的电力需求，提供了一个迷人的视角，将功率半导体的起源与推动计算和电气化未来的技术联系起来。

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本文研究了寄生电容对并联配置中氮化镓（GaN）场效应晶体管（FETs）动态电流共享行为的影响。随着GaN技术在高性能电力电子系统中的地位日益突出，将多个设备并联已成为增加电流处理能力的常用策略。

Salvatore Musumeci 博士, Vincenzo Barba 博士, Michele Pastorelli 教授, Marco Palma 硕士

ScienceDirect
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在过去十年中，AI 工作负载一直依赖于并非为其快速增长的功率需求而设计的服务器架构。近年来，“AI 工厂”的概念逐渐兴起，将数据中心重新定义为以生产力为导向、针对高计算密度进行优化的系统。

Bodo’s Power Systems
2026 年 3 月
阅读 Alejandro Pozo 和 Michael De Rooij 的文章

在本期 Chips 节目中，Efficient Power Conversion（EPC）首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 回顾了他在功率半导体创新领域的一生。从早期参与 HEXFET 功率 MOSFET 的研发，到开创氮化镓（GaN）技术，Alex 分享了塑造其职业生涯的关键决策、经验教训与远见。我们探讨了 GaN 对效率提升、AI 数据中心、机器人和卫星的影响，以及为什么工程师在规划未来道路时应当“瞄准目标的前方”。

Electronics Weekly
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为 AI 计算和下一代机器人提供可扩展电源解决方案

加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2026 年 2 月 26 日 — 增强型氮化镓（eGaN^®）功率器件领域的全球领导者 Efficient Power Conversion（EPC）将在 2026 年应用电力电子会议（APEC 2026） 上展示其面向 AI 基础设施和机器人应用的最新一代 GaN 技术。展会期间，EPC 将重点介绍第 7 代 GaN 技术及高度集成的 GaN IC 如何在高密度计算和下一代机器人系统中实现可扩展部署，使电源架构从演示平台迈向量产级应用，展位号 #1935。在展位现场，EPC 工程师将举办一系列技术演讲，内容涵盖系统架构、可靠性方法以及应用实现。

集成式 GaN 功率级，具备板载控制、检测与通信功能，在 32 mm 圆形设计中可提供高达 20 A_RMS，适用于空间受限的机器人应用。

加利福尼亚州埃尔塞贡多（EL SEGUNDO）– 2026 年 2 月 23 日 – 增强型氮化镓（eGaN®）功率器件领域的全球领导者 Efficient Power Conversion（EPC）今日宣布推出 EPC91122，这是一款高性能三相 BLDC 电机驱动逆变器评估板，专为人形机器人关节应用而设计。该产品采用 EPC 高度集成的 EPC33110 三相 ePower™ Stage 模块，在超紧凑外形尺寸下可提供高达 20 A_RMS（28 A_peak）的相电流，专为空间受限的机器人关节优化设计，并集成完整电机驱动逆变器所需的所有关键功能，包括微控制器、电机轴角度传感器、辅助电源以及高精度电压与电流检测功能。

EPC氮化镓技术助力瑞萨扩大在消费电子与AI电源的高需求市场影响力

美国，埃尔塞贡多，2026年2月X日– 增强型氮化镓（eGaN^®）功率器件领域的全球领导者Efficient Power Conversion（简称EPC）今日宣布，与先进半导体解决方案及高压氮化镓晶体管领先供应商瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics Corporation）达成一项全面的技术授权协议。

EPC 首款第七代 eGaN^® 器件正式进入量产，相比硅 MOSFET 性能最高提升达 3 倍

加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 2026 年 1 月 30 日 – 全球增强型氮化镓（eGaN）功率器件领导者 Efficient Power Conversion（EPC）宣布，其 EPC2366 正式开始批量生产，这是其第七代（Gen 7）eGaN^® 功率晶体管系列中的首款产品。该第七代平台树立了晶体管性能的新标杆。EPC2366 相比同等规格的硅 MOSFET，性能最高可提升达 3 倍。其典型 R_DS(on) 为 0.84 mΩ，且高度优化的 R_DS(on) × Q_G 品质因数（FoM）12.6 mΩ·nC，在降低导通损耗和开关损耗的同时，显著改善了热性能。该器件专为高效率、高功率密度电源系统而设计，在同步整流、高密度 DC-DC 转换、AI 服务器电源以及先进电机驱动等应用中表现尤为出色。

EPC2366 40 V eGaN^® FET 为下一代电力电子在性能、效率和功率密度方面树立了新的标杆。

加利福尼亚州埃尔塞贡多（El Segundo），2026 年 1 月 13 日 - 高效能电源转换公司（Efficient Power Conversion，EPC）自豪地宣布，其 EPC2366 40 V 增强型氮化镓（eGaN®）功率晶体管荣获 EPDT 2025 年度产品奖，并获得 功率晶体管 类别殊荣。该奖项彰显了 EPC 在提供前沿 GaN 技术方面的领导地位，可在数据中心、机器人和 AI 基础设施应用中实现更高效率和更卓越的性能。

EPC33110是一个三相模块，采用氮化镓(GaN)单片集成电路，使得电机驱动逆变器的开发更加小型化、轻量化。其紧凑的设计非常适合无人机和仿人机器人应用，与传统的基于硅的逆变器相比，支持更高的切换频率，最终提升了系统的尺寸、重量和性能。

Bodo’s Power Systems
2025年12月
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EL SEGUNDO, CA — 2025年12月8日 — EPC很高兴宣布任命Maurizio Di Paolo Emilio为全球市场传播总监。Maurizio加入EPC，带来了他在功率半导体领域的丰富背景和宽带隙（WBG）技术的专业知识。

Maurizio的职业生涯致力于推进下一代电力解决方案，他评估了从早期概念到最终生产发布的前沿半导体产品。除了发表了许多关于此主题的文章外，他还撰写并编辑了几本关于此主题的书籍。他的技术洞察力、行业知识和对创新的承诺使他成为EPC领导团队中的宝贵成员。