氮化镓(GaN)功率器件

氮化镓(GaN)晶体管和集成电路(IC)具有优于硅的基本优势。基于氮化镓器件的解决方案的性能无论在速度、温度和电源管理方面都比硅器件更强,从而使得解决方案具备更高的效率、更小的尺寸、更轻、更低的成本和更好的散热性能等优势。

为什么选择 EPC产品?

  • 广泛的产品组合
    与硅器件相比,用于电源管理的EPC增强型氮化镓(eGaN®)FET和集成电路技术具备更高的性能和更低的成本等优势。凭借15 V ~ 350 V的产品,EPC为市场提供最强大、现成的氮化镓产品组合,包括车规级和耐辐射器件。
  • 稳健、高可靠性
    凭借卓越产品的现场可靠性测试记录和广泛的可靠性测试方法,EPC确保其产品达到最高标准,以及其稳健的产品被验证为超越了硅器件的性能。
  • 被市场采纳
    EPC GaN FET和集成电路广泛用于服务器、48 V电动汽车电源、用于电动出行、机器人和无人机的电机驱动器;用于先进自主性应用的激光雷达和低成本卫星。
  • 可靠的供货
    EPC拥有世界一流的供应链,包括制造、封装和经销,其优势是成熟、高效和反应迅速。

有关EPC的氮化镓技术的更多信息,请下载我们的《技术简介》。

有关使用氮化镓器件的更多信息,请下载《面向功率应用的氮化镓器件的基础知识》和《面向功率应用的氮化镓器件的设计技巧》电子书。

氮化镓(GaN)FET和集成电路(IC) 的产品选型指南

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